（物理实验报告）霍尔元件基本参数测量 李强.docVIP

山东理工大学物理实验报告 预习分 课堂分 报告分 总成绩 实验名称：霍尔组件基本参数测量 姓名：李 昊 学号：0612109876 时间代码：06378 实验序号：20 院系：一年级工作部 专业： 理工 级.班： 教师签名： 李 强 仪器与用具：TH-H霍尔效应实验组合仪 实验目的：1、了解霍尔效应实验原理 2、学习“对称法”消除副效应影响的方法 3、测量霍尔系数、确定样品导电类型、计算霍尔组件灵敏度等 实验报告内容（原理预习、操作步骤、数据处理、误差分析、思考题解答） 【实验原理】： 通有电流IS的半导体薄片置于与它垂直的磁场B中，在薄片的两测就会产生电势差UH—霍尔电势差，这种现象叫霍尔效应。 霍尔效应产生的原因，是因为形成电流的载流子在磁场中运动时，受到洛沦兹力F=qv×B的作用,正、负电荷在样品两测边界聚集，形成横向电场EH—霍尔电场，产生霍尔电势差UH。 载流子除受到洛沦兹力F=qv×B的作用外，还受横向电场力Fe=eEH的作用，当受到洛沦兹力与横向电场力大小相等时，即 eEH=qv×B (4.7.1) 样品两测边界聚集的电荷不再变化，达到平衡。 样品中电流强度： IS=nevbd ( 4.7.2) 样品中横向电场Eh可认为是匀强电场，则有： UH=Ehb==RH （4.7.3） 基本参数： 霍尔系数RH 霍尔系数定义： RH= 由材料的性质(载流子密度)决定,反映材料的霍尔效应强弱。 由（4.7.3）得 RH= 上式提供了测量霍尔系数RH的方法。 2、根据RH的符号判断样品导电类型N、P 半导体材料有N型和P型两种，将测的UH、IS、B带入 RH= 得数为正时，样品为P型半导体，得数为正时，样品为P型半导体。 物理实验中心 实验名称：霍尔组件基本参数测量 姓名：李 昊 时间代码：0612109876 3、件的灵敏度K K= 霍尔元件的灵敏度K与载流子浓度n和样品厚度d有关，由于半导体内载流子浓度远小于金属，所以选用半导体材料制作霍尔元件，厚度一般只有0.2mm。 4、载流子浓度n n= 上式提供了用霍尔效应实验测量并计算载流子浓度的重要方法。 5、电导率σ，迁移率μ 　　　　σ=1/ρ= 6、消除霍尔元件副效应影响 实验中测量的霍尔元件两测的电势差U，除霍尔电势差UH外，还会有一些热磁副效应附加的一些电势差，这些附加电势差的方向与B、IS的方向有关，应用表4.7.1中对称测量法可基本消除这些影响。 【操作步骤】： 1、按仪器接口名称指示接好线路（注意不要接错，否则会损毁霍尔元件），IS、IM调节旋扭逆时针方向旋到底，开机预热几分钟。 2、调节IM=0.6A并保持不变, “功能切换”开关和中间铡刀开关分别扳向“UH”，IS分别取1.00mA 、1.50mA、2.00 mA 、2.50mA 、3.00mA 、3.50mA ，分别测出UH值，每组UH值IS、B方向进行4种组合，分别测出U1、U2、U3、U4值，填入表4.7.1中。 3、调节Is=0.6A并保持不变, “功能切换”开关和中间铡刀开关位置保持不变，IM分别取0.300A、0.400A、0.500A、0.600A、0.700A、0.800A时测出UH，测量数据记入表4.7.2中。 4、在零磁场下（IM输入开关空位），取Im=1.5mA, 中间铡刀开关置“Uσ”置，分别测量Is正、反方向的Uσ值，记入表4.7.3中。 【数据处理】： 表4.7.1 IM=0.6A Is/mA U1/mV U2/mV U3/mA U4/mA UH=U1－U2＋U3－U4／4 ＋B＋Is －B＋Is －B－Is ＋B－Is 1.00 －4.05 ＋3.96 －3.87 ＋4.14 4.005 1.50 －6.13 ＋5.95 －5.87 ＋6.23 6.045 2.00 －8.18 ＋7.91 －7.83 ＋8.27 8.048 2.50 －10.23 ＋9.87 －9.80 ＋10.34 10.060 3.00 －12.31 ＋11.86 －11