FeCl_3溶液中影响Cu蚀刻速度的因素.pdfVIP

第 8 卷增刊 1 中国有色金属学报 1998 年 9 月 Vol . 8 　Suppl . 1 　　　　　　　　　The Chinese Journal of Nonferrous Metals 　　　　　　　　　　 Sep . 1998 FeCl3 溶液中影响 Cu 蚀刻速度的因素① 蔡 　坚 　马莒生 　汪刚强 　唐祥云 (清华大学材料科学与工程系 , 北京 100084) 摘 　要　　采用喷蚀的方法 , 研究了 Cu 在 2 . 5 mol/ L FeCl3 溶液中影响蚀刻速度的几个因素 。用 XRD 方法分析了 Cu 蚀刻表面的成分 , 证实了蚀刻过程中 CuCl 钝化膜的形成 ; 研究了蚀刻速度随蚀刻时间 的变化规律 , 给出了初步的解释 ; 同时研究了蚀刻液中不同氯化物添加剂对蚀刻速度的影响 , 结果表 明阴离子不是影响蚀刻速度的唯一因素 , 不能排除阳离子的影响 ; 同时对蚀刻液的溶铜能力及失效蚀 刻液的再生进行了初步的研究 。 关键词　蚀刻速度 　钝化膜 　再生 中图法分类号　F0402 　　引线框架是微电子封装中的重要部件 , 它 提供芯片与外部电路的电连接 、对芯片起到机 1 　实验过程 械支撑的作用 , 同时还有着散热的功能[ 1 ] 。随 着电子封装向短 、小 、轻 、薄方向发展 , 引线 实验装置选择为小型底喷装置( 图 1 为实 框架也向多引线 、小间距发展 , 引线框架的制 ) 验装置简图 , 由耐蚀喷头 、磁力泵 、水浴槽及 作成为电子封装中的一个重要课题 。引线框架 相应的液体流动管路与容器组成 。实验材料为 的制作 , 一般 有两种方法 : 冲压法 与蚀 刻 ( ) 紫铜 99 . 7 % , FeCl3 蚀刻液 , 浓度为 2 . 5 mol/ 法[2 , 3 ] 。当引线数太多时 , 蚀刻法具有冲压法 L ; 蚀刻液温度选择为 25 ℃, 蚀刻液体积为 无法比拟的优点 , 因此引线框架的蚀刻成型研 500 mL 。 究也比较重要 。 引线框架材料主要有 : 可伐合金 、FeNi42 合金 、铜及铜合金 , 近年来也发展了一些新型 的铁基合金[4 ] 。总 的来 说 , 在 陶瓷封装 中 FeNi42 合金已经基本替代可伐合金作为引线 框架的重要材料 , 而塑料封装中铜合金是主要 的引线框架材料 。引线框架蚀刻的介质主要为 FeCl3 溶液 、CuCl2 溶液 , 一般 FeCl3 溶液用于 FeNi42 合金的蚀刻 , CuCl2 溶液用于铜及铜合 金的蚀刻[5 ] 。考虑到 FeCl3 溶液与 CuCl2 溶液 图 1 　实验装置简图 相比具有更低廉的价格及更快的蚀刻速度 , 本 Fig. 1 　Scheme of experiment al app arat us 文对 Cu 在 FeCl3 溶液中的蚀刻速度作了一些 实验对 Cu 在 FeCl3 与 CuCl2 溶液中的蚀 研究 , 并试图对蚀刻机理进行初步探讨 。 刻速度作了简要对比, 主要研究了 Cu 在 FeCl3 ① 国家自然科学基金资助项 　　收稿 日期 : 1997 - 10 - 17 ; 修回日期 : 1998 - 02 - 0 1 蔡 　坚 , 男 , 27 岁 , 讲师 , 博士研究生 ·62 · 中国有色金属学报 　　　　　　　　　　　　　　　　　1998 年 9 月 ( )