MOS的选择与功耗验证.pdfVIP

1. MOS 的結構 以N 型 MOS 為例： P 型 Si 半導體 P 型 Si 中形成兩 P 型 Si 表面形成 薄片（襯底） 個高摻雜 N 區 一層很薄的 SiO2 擴散 在 SiO2 表面及 N+ 區表面 安置三個電極，分別爲 G D S 2. 工作原理 12 1）Vgs=0,D 、S 間PN 結反偏，Rds 10 Ω,id=0。 5 6 2 ）Vgs=Vth,出現N型溝道，即使只有幾伏的Vgs,也可產生10 ~ 10 V/cm的強電場，但 不會產生ig，此電場排斥空穴而吸引自由電子，使得自由電子形成反型層，而空穴形 成耗盡層，此時若加上Vds，將有id產生。 3 ） 可變電阻區和飽和區的形成機制：Vds 上升，由於溝道存在電位梯度，厚度不均勻， D端薄，S端厚，Vds繼續增加，將形成夾斷區，只有將溝道全部夾斷，id=0,MOS進入 飽和區，預夾斷的條件：Vgd=Vgs-Vds=Vth或Vds=Vgs-Vth。 3. 功率 MOS 等效電路 1） MOS 正向導通等效電路 2 ）MOS 反向導通等效電路 4. MOS 管的選擇 MOS 是反激式開關電源的關鍵器件，也是電源中散熱量較大的元件之一，在選擇 MOS 管時應考慮： 1. 最大漏源電壓 Vds 2. 漏極連續最大電流 Ids 3. 導通電阻：Rdson 4. MOS 總功耗 Pmax 5. MOS 最大允許操作溫度 Tjmax 其中 MOS 的最大耐壓Vds 應滿足： V V +n(V +V ) +V DS INMAX O D Spike 漏極連續最大電流Ids應滿足： IdIpk （Ipk為初級電感電流的峰值） 另外還需注意MOS的柵極驅動電壓應小於PWM芯片驅動輸出電壓。 5. 功耗驗證 單位時間內MOS所消耗的電能稱功率損耗，功耗將導致MOS結溫升高，因此產生了散熱冷 卻的要求，在MOS正常工作時，器件的功率損耗和散熱片的耗散功率將達到平衡，溫度不會 繼續升高，即系統達到熱平衡。 MOS的總損耗由導通損耗、容性損耗、開關損耗三部分組成。 以36W的電源為例： 輸入：90V/47Hz 輸出：12V/3A 開關頻率：65KHz 選用MOS為Toshiba 2SK3265，具體參數：Vdsmax=700V，Rdson=0.72Ω，Ids=10A，Qgs=25nc 如下採用三種方法進行MOS的功耗驗證： （1） 理論計算 導通損耗 Pon 最大導通時間 Tonmax=Donmax*fs，漏極在一個週期內最大做功為： T I 2 ⋅t2 R ⋅T ⋅I 2 W on max R pk =⋅dt dson on max pk on ∫0 dson T 2 3 on max 由於MOS 的導通電阻隨溫度的升高而變大，將結溫考慮在內，假定MOS 工作時的結溫 o T 90 C ，環境溫度為25 度，近似估算此溫度下的 J (HOT ) Rdson 0.72 =⋅[1+0.005⋅(90 −25)] 0.99=Ω