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银镁合金次级电子发射极激活机理的探讨 周荣楣 张芳 王楠 三乐电子信息产业集团有限公司 摘要：本文主要用数理推导的方式对应用在光电倍增管中银镁合金的次级电子发射机理进行了深入的探 讨，并由此分析出与银镁合金次级发射有关的主要技术指标，进而为制作银镁合金的敏化工艺奠定了技 术基础。 关键词：银镁合金，激活，消耗量，扩散，次级电子发射 一、 引言 众所周知，氧化镁薄膜有良好的次级电子发射性能。其次级电子发射系数大，次级电子发射系数随 温度的变化小，次级电子最可几能量较小(约1．1eV)，它在常温下没有热电子发射，在可见光区无光 电发射，又耐电子轰击，在大气中稳定，因此它是一种较为理想的次级电子发射材料。但遗憾的是直接 用纯净的氧化铍制作次级电子发射极有许多实际困难，因而人们为了避开这些困难，采用银镁合金而较 好的解决了这一难题。 近年来，随着我国国民经济领域对特种光电倍增管需求的不断增加，如何制造出具有良好次级电子 发射性能的银镁合金，是摆在我们面前一个十分重要的课题。 本文将从制作银镁合金电子倍增极的角度出发，对银镁合金中氧化镁形成的机理，在理论上作一较 为深入的探讨。 二、银镁合金激活机理 银镁合金必须经过激活，才具备优良的次级发射性能。所谓激活，就是镁的扩散一氧化过程。在高 温下，镁在银中扩散，到达银镁合金表面后，即与周围的氧分子结合生成氧化镁而存留在表面，当氧化 镁层积累到一定的厚度(例loooA)时，银镁合金便具备了良好的次级电子发射性能。 镁在银中的扩散，遵循Fick第一和第二定律，即下式成立： J=一DVC (1) V。d=-害 (2) 式中17为质量流密度，即在单位时间内穿过单位面积的镁的质量：它是(x、Y、z)的函数； C为镁的浓度，它也是x、Y、z)的函数； D为镁在银中的扩散常数，在温度恒定时而镁的浓度很低时，它是一个常数。 将(1)式代入(2)式，得： DVzC：o_5 (3) 夙 当银镁合金样品的线度远大于它的厚度时，可以认为样品具有一维几何形状，于是(3)式简化为： (4) D一02c：堡 出‘ 夙 边值条件为：C(x，t)=c。当0xh，t=-0；C(x，t)=0，x0，x=h，t=0 式中C为镁的起始浓度，h为样品厚度。因为镁一旦扩散到达表面便被立即蒸发掉或氧化掉，所以 有此边值条件成立。 用分离变量法解上述方程，得： 923 如∽=争薹六m半一半研 ㈣ 设样品的面积为1单位，则经t时刻后，样品内剩下来的镁量为： 啦力：k ou1 ＼●u‘-7 t，ax：警薹由m击．e竽a n=0 0㈤ (5)，(6)都是收敛级数，当t增大时，后项对前顼之比将越来越小。 令：豸三％n具有时间量纲。它的物理意思是：当t=-r代入∞’式，便有： s(h∽=鲁(e-1+吉e_921；e．25+．．．)~o．3hc。 上式中hc。为镁的起始含量。因此，f的物理意义便很明确了，它是一个时间常数，当扩散经,／-时 间后，银镁合金内剩留下来的镁量约为起始含量的30％左右。 、 co