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模拟电子技术基础习题册 班级：XXXX 姓名：XXXX 学号：XXXXXX XXX年XXX月 第一章： 基本放大电路习题 1-1 填空： 1．本征半导体是 纯净的晶体结构的半导体 ，其载流子是 自由 电子 和 空穴 。载流子的浓度 相等 （空穴与自由电子数目相等） 。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂 ，而少数载流子的浓度则与 温度_有很大关系。 3．漂移电流是 少数载流子 在 电场力 作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是 PN结具有单向导电性 ，它的两个主要参数是 最大整流电流 和 最高反向工作电压 。 5．稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 反向击穿区 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 稳定工作电压 、 稳定工作电流 、 额定功率 、和 动态电阻 。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 升高 。 7．双极型晶体管可以分成 PNP型 和 NPN型 两种类型，它们工作时有 空穴 和 电子 两种载流子参与导电。 8．场效应管从结构上分成 结型场效应管 和 绝缘栅场效应管 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 多数 载流子的流动；因而它又称做 单极性晶体管 器件。 9．场效应管属于-----电压控制电流 控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。 10．当温度升高时，双极性三极管的β将 增大 ，反向饱和电流ICEO 增大 正向结压降UBE 降低 。 11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出 电位 最为方便。 12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为 发射结正偏 和 集电结反偏 ；饱和区，偏置为_发射结正偏 和 集电结正偏 ；截止区，偏置为发射结反偏 和 发射结反偏 。 13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 增大 。 1-2 设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。 图1-2 1-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。 图1-3 1-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。 a：增大、b：减小、c：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流Ic减小，则Rb2应 b 。 2．Rb2在适当范围内增大，则电压放大倍数 b ，输入电阻 增大 ，输出电阻__c___ 。 3．Re在适当范围内增大，则电压放大倍数 b ，输入电阻 a ，输出电阻 c(一个定值电阻变量一般不会，除非特殊情况) 。 ？？？？ 4．从输出端开路到接上RL，静态工作点将 ，交流输出电压幅度要 。 5．Vcc减小时，直流负载线的斜率 c 。 图1-5 1-6 电路如图1-5所示，设VCC=15V，Rb1=20kΩ，Rb2=60Kω，RC=3kΩ，Re=2kΩ,电容C2，C2和Ce都足够大，β=60，UBE=0.7V，RL=3kΩ 1．电路的静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ。 2．电路的电压放大倍数Au，放大电路的输出电阻ri和输出电阻r0 3．若信号源具有RS=600Ω的内阻，求源电压放大倍数Aus。 1-7 图1-7所示电路中，已知三极管的β=100，UBEQ=0.6V，rbb′=100Ω。 1．求静态工作点。 2．画微变等效电路。 3．求。 4．求ri，ro1，ro2。 图1-7 多级放大电路与频率特性习题 2-1 填空： 1．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为： 式中f单位Hz 表明其下限频率为 ；上限频率为 ；中频电压增益为 dB，输出电压与输入电压中频段的相位差为 。 2．幅度失真和相位失真统称为 失真，它属于