模拟数字电力电子技术第1章_基础知识.ppt

第一章 基础知识 一、 半导体基础知识 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 本征半导体的原子结构及共价键。 本征激发和两种载流子——自由电子和空穴 温度越高，半导体材料中产生的自由电子便越多。束缚电子脱离共价键成为自由电子后，在原来的位置留有一个空位，称此空位为空穴。本征半导体中，自由电子和空穴成对出现，数目相同。 空穴出现以后，邻近的束缚电子可能获取足够的能量来填补这个空穴，而在这个束缚电子的位置又出现一个新的空位，另一个束缚电子又会填补这个新的空位，这样就形成束缚电子填补空穴的运动。为了区别自由电子的运动，称此束缚电子填补空穴的运动为空穴运动。 3.杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著 改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类： 电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为电子半导体。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称 为空穴半导体。 N型半导体的共价键结构 二、 半导体二极管 二、 半导体二极管 二、 半导体二极管 二、 半导体二极管 三、 整流滤波电路 ① 截止失真：当放大电路的静态工作点Q 选取比较低时，IBQ较小，输入信号的负半周进入截止区而造成的失真称为截止失真。 与晶体管的比较 (1) 场效应管是电压控制器件，基本不取信号电流，在只允许向信号源索取极小电流的情况下，应采用场效应管；而三极管是电流控制器件，取用一定的信号电流。 (2) 场效应管为单极型器件，只有多子参与导电；三极管既有多子参与导电也有少子参与导电，因此为双极型器件。场效应管具有较好的温度稳定性，且输入电阻高，抗辐射、抗干扰能力强。 (3) 由于场效应管结构对称，源极和漏极可互换，且耗尽型的MOS管的控制电压UGS可正、可负，具有一定灵活性。 (4) 场效应管还具有工艺简单、易集成和占用芯片面积小的优点，尤其适用于大规模的集成电路。 第五节 场效应管及其放大电路 3. 转移特性和输出特性 （1）转移特性 在场效应管的UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为场效应管的转移特性曲线，它反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用。 当UGS=0时，导电沟道电阻最小，ID最大，称此电流为场效应管的饱和漏极电流IDSS。 当UGS=UP时，导电沟道被完全夹断，沟道电阻最大，此时ID=0，称UP为夹断电压。 近似计算公式： 第五节 场效应管及其放大电路 （2）输出特性 输出特性曲线是指栅源电压UGS一定时，漏极电流ID与漏源电压UDS之间的关系曲线 ① 可变电阻区：在UDS较小靠近特性曲线纵轴处， ID几乎随着UDS线性增加。随着UGS的改变，ID随UDS线性增加的比值也相应改变，因此，此区可把场效应管的漏、源极之间看作受UGS控制的可变电阻。 第五节 场效应管及其放大电路 ② 恒流区(饱和区)：此区的特点是ID只受UGS的控制而几乎与UDS无关，具有恒流特点。因为ID不随UDS增大而增大，达到饱和状态，故又称饱和区。 ③截止区：当UGS ＜ UP靠近特性曲线横轴处为夹断区，此时管子处于截止状态。 ④ 击穿区：当UDS增大到某一值时，栅、漏间PN结会发生反向击穿， ID急剧增加，如不加限制会造成管子损坏。 第五节 场效应管及其放大电路 二、绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管MOSFET分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 ⑴ N沟道增强型MOSFET 结构和工作原理 ①结构 N沟道增强型MOSFET结构示意图和符号图 d(Drain)为漏极，相当c g(Gate)为栅极，相当b s(Source)为源极，相当e 第五节 场效应管及其放大电路 ② 工作原理 绝缘栅型场效应管是利用电