模拟电子技术基础第二讲 PN结.pptVIP

第2章 半导体二极管及其基本电路 2.1 半导体的基本知识 2.2 PN结 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及分析方法 2.5 特殊二极管 * 2.2 PN结 2.2.1 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2.3 PN结的反向击穿 2.2.4 PN结的电容效应 P区 N区 浓度差－－扩散运动（多子） 载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动 形成的电流称为扩散电流 内电场—漂移运动 （少子） 内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 即促进了漂移运动 扩散运动=漂移运动时 达到动态平衡 2.2.1 PN结的形成 1. 交界面出现自由电子、空穴的浓度差别 P区 N区 空穴多 自由电子少 空穴少 自由电子多 P区空穴（多子）向N区扩散 N区自由电子（多子）向P区扩散 同时进行 2.扩散的过程中自由电子和空穴复合，留下不能移动的杂质离子，形成内电场 3. 内电场的出现使少数载流子向对方漂移 N区空穴（少子）向P区漂移 P区自由电子（少子）向N区漂移 同时进行 4. 刚开始,扩散运动大于漂移运动, 最后,扩散运动等于漂移运动,达到动态平衡 内电场阻止多子扩散 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动 扩散运动产生扩散电流 漂移运动 少子在电场的作用下向对方漂移,称漂移运动。 漂移运动产生漂移电流。 动态平衡 扩散电流=漂移电流，PN结内总电流=0。 PN 结 稳定的空间电荷区 又称高阻区 也称耗尽层 1. PN结加正向电压时的导电情况 外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。动态平衡被打破。于是内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响。空间电荷区变窄， P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； 内 外 2.2.2 PN结的单向导电性 PN结呈现低阻性 电压的真实方向 2. PN结加反向电压时的导电情况 外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。 内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减小。少子在内电场的作用下形成的漂移电流加大。 此时PN结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。但是漂移电流本身就很小，因为是少子形成的ＰＮ结变宽 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏； 内 外 PN结呈现高阻性 电压的真实方向 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散 电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 线性电阻具有双向导电性 其中 Is ? 饱和电流; UT = kT/q ?等效电压 k ? 波尔兹曼常数； T=300k（室温）时 UT= 26mv 由半导体物理可推出： ? 当加反向电压时： ? 当加正向电压时： (UUT) PN结两端的电压与 流过PN结电流的关系式 PN结的伏安特性 3．PN结电流方程 反向击穿 PN结上所加的反向电压达到某一数值时，反向电流激增的现象 雪崩击穿 当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离。形成连锁反应，象雪崩一样，使反向电流激增。 齐纳击穿 当反向电压较大时，强电场直接从共价键中将电子拉出来，形成大量载流子,使反向电流激增。 击穿是可逆。 击穿是可逆。 （不可逆击穿） — 热击穿 PN结的电流或电压较大，使PN结耗散功率超过极限值，使结温升高，导致PN结过热而烧毁 2.2.3 PN结的反向击穿 一． 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 2.2.4 PN结的电容效应（非线性电容） 高频应用 CB大小与PN结面积成正比，与耗尽区厚度成反比，而耗尽区厚度随外加电压的改变而改变 VD CB CB与结电阻并联 反偏时，结电阻大， CB小，二者在同一个数量级 正偏时，结电阻小， CB大，二者不在同一个数量级，结电阻起主要作用 非线性电容 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 二． 扩散电容CD 当外加正向电压 不同时，扩散电流即 外电路电流