基于应变模型SiGe+PMOSFET性能模拟.pdfVIP

基于应变模型的SiGe 史进黎晨陈培毅罗广礼 【清华大学微屯子学研究所北京100084) 摘要：本文在普通sI器件性能模拟的基础上，详细研究了长淘应变SiGe器件的模拟，并 进一步探讨了调制掺祭层的引入对器件性能主要是跨导的影响。在器件模拟过程中，采用 隐含的SiGe材料和si材料模型会得到与实际情况出入较大的结果。本文根据前人的材料 数。然后依据修正后的模型对SiGe PMOS进行了更为精确的二维模拟，井验证了调制掺杂 层的作用。 1 引言 应变SiGe外延层由于受到应力作用．其能带将发生相应的变化，不但能带结构的曲率 变化会影响载流子的有效质量，而且简并能带的分离还能减小谷间散射，从而提高SiGe材 料的迁移率。但是同时，合金散射的引入又会对材料迁移率的提高带来负面影响。因此， 综合考虑这两个冈素，我们可以认为在低组分情况下，应变SiGe材料的迁移率与体si材 料的迁移率大致有1．4倍的提高，“’ 在室温条科F，SiGe器件的性能要优于普通Si器件，因为由应变作用导致的能带弯曲 可以将导电载流子更多地局限在应变沟道内，不但应变作用下迁移率较高，而且减小了表 面散射的影响。由于表面散射会大大降低载流子的迁移率，所以这种优越性使得含GeSi 但是我们发现，随着表面强反型的介入，当栅压升高到一定程度后，器件中导电载流 子主要是集中在表面的驰豫si层，而不是应变的SiGe埋沟。这就使得应变作用带来的优 点所起的作用变得微乎其微。从后面的模拟结果中可以看到，一个无调制掺杂层的MOS 管开启电压为一1．3V左拈，但在栅压达到一1．0V的时候表面强反型就占了主导地位(例5)。 也就是说器件的优越性只有在MOS管开启前的亚阈值区才能得到明显的体现。而我们更为 关注的是Mos管开启后的跨导特性。 调制掺杂层可以在不改变导电沟道掺杂浓度的前提F调节开启电压，提高导电沟道迁 移率，增加导电沟道中载流子的数量，从而提高整个器件的性能。 +霭家自然科学{毒金资助蠡点项国家九五重点科技t攻关)计划课题97．760-03．叭 -335． 惠 圈lPMOS臂结构圈 田2应壹SiGe姐分与螗昔关系阳 2暑件蛄构 模拟采用的MOS管结构如图1所示。先在外延Si buffer上淀积一层4nm的高浓度P型阔制掺 杂层(B，5．e17era。)，然后淀积Si spacer(18nm，relax)-strainSiGe(26nm)Si cap(20nm，relax)的三 层结构．栅氧条什为850。C r低温干氧60分钟，栅氧厚度约125A，cap层厚度为150A．为了确保在 后续[艺中Si材料不会驰豫，在栅的多晶掺杂时．不采用高温扩散的手段，而选取离子注Ailg火的 ． X 1 方法。注入的条引为Boron．dose=4 火时间为20分钟。 用丁比较的其他SiGe PMOS管几乎保持完全相同的结构参数和】：艺条件，只是调制掺杂层的浓 度有所不同。 ． 3模拟基稿 为了重点突山廊变作川，所有下面的模拟都是基于长沟道(5um沟长)的，不考虑短沟效应和 表面量子阱效麻。 在进行模拟之前首先要对戍变作用F的材料进行一个合理的建模，包括材料的能带结构．迁移 率模型等等。为了保证模拟的结果尽可能她接近实际情况．在建模过程中的修正始终坚持以实验数 据为根本，而不是过多地考虑模型的物理意义。 根据相关的测试结果(如剀2，”．我们可以得到Si