Au%2fBi合金低温外延硅薄膜.pdfVIP

附件二． 上海市半导体硅材料质量监督检验站 检舅结果 单位：tam zD，“、 。j _rN?口配．f Au／Bi合金低温外延硅薄膜 ———。——————■一一一’————～ 史伟民 陈培蜂 王林军 钱永彪 闵嘉华 桑文斌 吴汶海 (上海大学材料科学与工程学院，上海201800) 摘要本文从热力学角度对U，E中同时存在的Si氧化与Si02腐蚀的动态平 衡过程进行了分析。探讨低温液相外延过程中防止硅氧化的技术条件，尝试采用 Au／60wt％Bi合金作为外延溶剂，采用饱和slI源保护si村底的方法以解决LPE过 程中硅的氧化问题，以实现低温下硅薄膜的外延生长，外延温度400—500℃。通过 对外廷层表面形貌和成分的分析研究表明此法成功地解决了硅的氧化问题。 l引曹 、 可以使因硅薄膜与衬底热膨胀系数不同而引 液相外延(LPE)与化学气相沉积起的应力大大减小。由于LPE中采用H2作 (CyD)是最具发展潜力的硅薄膜制备技术 为保护性气氛，Si氧化与s她腐蚀将同时 存在。这两个过程是一个动态平衡的过程， 之一。同CVD相比LPE易实现低温生长， 由于低温生长可降低界面热膨胀失配、减少 但一旦生长温度降低，si的氧化问题变得非 热应力、防止掺杂原子在界面之间的扩散。 常突出，如果衬底表面被氧化，外延得到的 因此可以扩大异质衬底的可挑选范围，防止 只能是硅的多晶薄膜…1，如何解决氧化问题 高温下由于杂质的热扩散对外延层产生热沾 已成为生长高质量硅薄膜的一大关键【2】2。 污，生长出比较陡峭的pn结；低温生长还 在液相外延制备硅薄膜中，大多数的作 ·146· 者都采用Sn、hI、m等单质金属作为外廷 溶剂。sn、hI作为外延溶剂，生长温度通常 lnP。：：箜RT (6) 对于反应(2)得到， 都高达9500C[3,41；m作为外延溶荆，生长 Tinr+o．4×10—3严+ 温度虽然可低至600℃左右，但在上述温度 △碑：一6．63 下生长，外延层往往因为Al的含量太高而 ’ 无法利用【副。 · ．△碑一胁急 本文对Si氧化与Si02腐蚀的动态平衡 过程进行热力学分析，探讨液相外延过程中 在一般液相外延中作为保护性气氛的氢 防止硅氧化的技术条件，尝试以Au／Bi合金气气压大致在Iarm左右，令％o二|arm， 作为外延溶剂，采用饱和Sn源保护’跣村底 则： 的方法以解决LPE过程中硅的氧化阿题， 以实现低温下硅薄膜的外延生长。 ·n飞。；筹 ． (8) 2热力学估算 图1分别给出了H20、倪1的平街蒸汽压 在液相外延制备取葛膜时，蘧常厢’如 的实验值与计算筐奠汪度的变化【3一．．】。由图 作为保护性气氛。同时在薄膜生长之前，往往 可知，当％J实际)％o平衡)或者 要经过几个小时源片与溶体的饱和过程。在 如《实际)