晶体管原理_第二章.pptVIP

结面曲率半径的影响 由扩散工艺所形成的 PN 结，在结面的四周和四角会形成柱面与球面。 结深 xj 越小，曲率半径就越小，电场就越集中，击穿电压VB 也就越低，且多发生在表面而不是体内。 * PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 第 2 章 PN 结 P 区 NA N 区 ND 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 2.1 PN 结的平衡状态 2.1.1 空间电荷区的形成 空穴扩散：P 区 N 区 电子扩散：P 区 N 区 扩散电流方向为，P 区 N 区 P 区 N 区 NA-，pp0 ND+，nn0 内建电场 空间电荷区 P 区 N 区 NA- ND+ NA- pp0 ND+ nn0 2.1.2 内建电场、内建电势与耗尽区宽度 P N 以上的 E(x) 就是 PN 结的 内建电场。 1.N区 P区的电场为 Vbi 与掺杂浓度、温度及半导体的材料种类有关。在常用的掺杂浓度范围和室温下，硅的 Vbi 约为 0.75V 。 （2-13） 对内建电场作积分可得 内建电势Vbi 2、内建电势 可求出 N 区与 P 区的耗尽区宽度 ： 3、耗尽区宽度 总的耗尽区宽度 ： 2.1.3 能带图 N区 P区 由图可见，电子从 N 区到 P 区必须克服一个高度为 qVbi 的势垒，空穴从 P 区到 N 区也必须克服一个同样高度的势垒，所以耗尽区也被称为“势垒区”。 P N 2.2 PN 结的直流电流电压方程 PN 结二极管的直流电流电压特性曲线 面积为 Vbi 2.2.1 外加电压时载流子的运动情况 外加正向电压 V 后，PN 结势垒高度由 qVbi 降为 q(Vbi -V) ， 使扩散电流大于漂移电流，形成正向电流。 由于正向电流的电荷来源是 N 区电子和 P 区空穴，它们都是多子，所以正向电流很大。 P N x 0 平衡时 外加正向电压时 外加电场 内建电场 面积为 Vbi-V V P区 N区 0 正向电流密度由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp ( 在 N 区中推导 ） 2、电子扩散电流密度 Jdn ( 在 P 区中推导 ） 3、势垒区复合电流密度 Jr ( 在势垒区中推导 ） 外加反向电压 V (V 0) 后， PN 结的势垒高度由 qVbi 增高到 q(Vbi -V)， xd 与 都增大。 P N x 0 平衡时 外加反向电压时 外加电场 内建电场 面积为 Vbi -V 面积为 Vbi 多子面临的势垒提高了，难以扩散到对方区域中去了，但少子更容易被反向电场拉入对方区域，从而形成反向电流。 由于反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。 V P区 N区 0 反向电流密度也由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp 2、电子扩散电流密度 Jdn 3、势垒区产生电流密度 Jg（ Jg 与 Jr 可统称为 Jgr ) 以上两式常被称为“结定律”，对正、反向电压均适用。但在正向时只适用于小注入。 2.2.2结定律 在 N 型区与耗尽区的边界处， 在 P 型区与耗尽区的边界处， 2.2.3 扩散电流 外加正向电压时 PN 结中的少子分布图为 P区 N区 注入 N 区的非平衡空穴，在 N 区中 一边扩散一边复合 ，其浓度随距离作指数式衰减。衰减的特征长度就是空穴的扩散长度 Lp 。每经过一个 Lp 的长度，非平衡空穴浓度降为 1/e 。 P区 N区 外加反向电压时 PN 结中的少子分布图为 N 区中势垒区附近的少子空穴全部被势垒区中的强大电场拉向 P 区， 所以空穴浓度在势垒区边界处最低，随距离作指数式增加，在足够远处恢复为平衡少子浓度。减少的空穴由 N 区内部通过热激发产生并扩散过来补充。 PN 结总的扩散电流密度（ N 区内的空穴扩散电流+P 区内的电子扩散电流 ） Jd 为 当 V = 0 时，Jd = 0 ， 当 V kT/q 时， 当 V 0 且 |V| kT/q 时，Jd = -J0 室温下硅 PN 结