氮化镓低维纳米结构的制备和表征.pdfVIP

37 1 ( ) 2007 2 Vol.37 No. 1 JOU NAL OFSHANDONGUNIVE SITY (ENGINEE ING SCIENCE) Feb. 2007 :2007) 吕 伟, 吴莉莉, 邹 科, 吴佑实 ( , 250061) : 主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法, 制备出GaN 纳米线 纳米带. 通过X- 射线衍射(X D) , 扫面电镜 (SEM) 高分辨透射电镜(H TEM) 等测试手段对其形貌进行了表征 分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对 所制备GaN 纳米结构形貌特征的影响. 对两种GaN 纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析. : 氮化镓;低维纳米结构; 表征 :O611 :A Preparation and characterization of lowdimensional GaN nanos