SiC／Nb／SiC扩散连接接头的界面构造及接合强度.pdfVIP

维普资讯 第18卷 第2期 焊 接 学 报 、oI．18 No．2 l997年 6月 HANJIE XUEBAO June l997 界面构造及接合强度’ 冯吉才 刘会杰、，韩胜阳 李卓然 张九海 —— ——-咭尔滨工业大学’ 06牛7I¨ 0牛84 摘要 使用Nb箔作中间层对常压烧结S{C陶瓷进行了真空扩散连接 在最初的反应阶 段．六方晶的Nb2c和N Cx反应物分别在 Nb和Si侧形成。殖着连接时间的增加．立 方晶的Nbc和六方晶的Ntai2相在界面出现。试验结果表明．在 1790K、36ks的连接条 件下所获得的接头，其室温剪切强度达到187MPa．高温(973K)剪切强度超过150MPa． 关键调：散连接 亘垦鏖叁盒 璧堡壁塑耋 0 序 言 碳化硅(sic)陶瓷具有优越的高温强度、高硬度、耐腐蚀和化学稳定性，是一种很有前途的结构 材料。采用Nb作中间层进行扩散连接时，SiC陶瓷和Nb可以生成高熔点的碳化物和硅化物，其 高温强度优于siC／Ni、sic／Fe和sic／cr的接合体 作者曾对Nb和SiC陶瓷的界面反应进行了研 究，报道了Nb5Sh、Nb2c和NBSi2化合物的形成I【_ 。AJoshir】‘在SiC基板上喷徐了1a,m左右的 Nb薄膜，经高温热处理后界面生成了NbQS 的化合物。但是，到目前为止，对Sic／Nb系的反应 过程、界面组织结构随接合条件的变化及对接头强度的影响还不清楚，有必要进行探入细致的探 讨。本文对sic／reWsic试件进行了扩散接合，重点分析了反应物的形成过程、界面组织结构及对 接头室温、高温强度的影响。 1 试验方法 试验用陶瓷由日本京陶瓷公司制造，是在SiC粉中加入(2～3)mass％的Al2q烧结剂后常压 烧结而成的。金属Nb箔的纯度为99．90％，厚度为12．5,urn。 将直径为6mm的SiC捧精密切割成4ram高的圆柱体，用平均粒度为30urn的金刚石板研磨 成镜面，而后制成sic／Nb／Sic待焊试件。在10 tort的真空炉中，采用高频感应加热的方法进行 扩散连接。接合压力为7．26MPa，接合温度为1123～179OK．升温速度和冷却速度分别为0．64K／s 和0．32K／s。 把接合后的试件沿垂直于接合面方向切开，研磨、抛光后用 EPMA(JxA8600，日本制造)和 xRD(JDx一353OM，日本制造)等仪器对界面反应相进行观察和定量分析。为提高测量精度，真空 熔炼了TbSb、TiSi、IiSh、Nb5Si”NhS 和Fe,C标准试件。 采用拉剪试验评价接头的室温强度和高温强度。拉伸在SS一07D—UAD—TM1试验机上进 行。拉伸速度为1．7×10～m／s。高温拉剪试件的加热速度为0．5K／s，达到要求温度后保温180s再 进行拉伸．拉伸强度取5个试样的平均值。 ·国象博士后基叠资助课题 维普资讯 2期 siC／Nb／SiC扩散连接接头的界面构造及接合强度 21 2 试验结果及分析 2．1界面构造 为研究反应物的形成过程、反应模式和组织结构的变化，保持扩散接合温度不变，改变接合时 间进行扩散接合，根据Nb—Si—C三元相图对所出现的反应相进行详细分析，其结果见表 1。 表 1化学成分和晶格常截 Table1 Chemicalcompositionsandlatticeparameters 在接合的初期．和 c元素向Nb中扩散， N C Nb，Si，Cx 而Nb元素则向SiC陶瓷中