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维普资讯 1997．2(98) ·41 · CBN大单 晶的生长及其在 电子元件方面 的应用 l作为一种电子材料的CBN 溶于LiCaBN4或Li3BN2中置于高温端。根 CBN是由R．H．温托夫于1957年首次 据晶体生长理论找出合适的生长条件，可以 合成出来的。这种材料也可以做为一种极其 成功地生长出3～5mm的CBN大单晶。 重要的电子材料。对于CBN的电子结构，有 3CBNpn二极管的制作和证实 几种理论研究和试验测试结果。理论计算表 添加合适的杂质就可以生长出大的立方 明其最窄的禁带是间接型的。精确的禁带宽 氮化硼半导体。当少量的Be金属，P一型掺 值还没有确定。理论值分散在3～10eV的 杂剂加入到溶媒中，就可能生长出兰色、多面 范围内。实验值表明其能隙大于6．4±0． 的和导电的晶体。当添加Si粉末，n一型掺 5eV或约大于6．6eV。X一射线发射光谱和 杂剂到溶媒中时，就可以制造出黄橙色、透明 最新的反射数据确定为～6eV。 以上结果 的、多面的和导电晶体。这些结果证实了 可知：CBN的能量间隙6．4～7eV之间。 CBN具有半导体性能的结论。 看来CBN的禁带在Ⅳ族Ⅲ一V族和Ⅱ 用尺寸为0．5～2．0mm的一些P一型晶 一 Ⅵ族的半导体中是最宽的，而且，CBN可 体放在生长元的低温端作晶种，而n一型晶 以做成P和n型两种类型，这在宽禁带半导 体生长在P一型晶种上。就可以得到几个pn 体中是不寻常的。由于CBN的宽禁带，CBN 合成晶体(尺寸为1～2mm)，其形状可以用 器件应该在1300～1500℃的温度下工作。 金刚石砂轮磨削，以露出P一型和n一型区 在该温度、lbar压力下，CBN变成热不稳定 域。这样pn就可以进行测试了。 区，并且可推断其发射的紫外光的波长在 研究pn结的形成借助于电子束感应电 180～200nm。由于CBN的两种性能(宽禁 流的测试和电子测试。因为没有办法与 带及P型和n型的存在)，它不仅可用于机 CBN半导体殴姆联接，我们采用常规的Ag 械、化工等等用途，作为一种宽禁带半导体， 一 漆电极或用金属针机械挤压CBN的方法 它在苛刻条件下的应用潜力极大，甚至比金 联接。尽管这些方法能在电极处引起较大的 刚石还大。 和不稳定的接触电阻。 2CBN单晶体的生长 电子束感应电流测量法测量表明，沿着 在1987年，也即温差溶剂法未成功前， pn结的方向有一空间电荷区的存在。用四 只能用高温薄膜生成约小于0．5mm的小晶 点试探电极法观察到其通常的整流特性，由 体。这就限制了对这种有意义的材料的研究 以上可以证实pn结的形成。 应用。例如：尽管有用薄膜法生成的CBN做 4 高温二极管 pn结二极管的尝试，但得到的pn结合体都 CBNpn结的整流特性可以重复地被观 太小以致于无法检测，从而无法证实pn结的 测到高至650℃(图1)，这个操作温度比得上 形成。 目前存在的最高温度的半导体器件一碳化硅 早在几年前，我们就开始在无机材研究 晶体管的工作温度。 所用温差法研制CBN大单晶。这种方法的 5 紫外线发光二极管 原理是设置在高压炉(约50kbar，1700～ 当一支电流沿向前方向通过pn结时，可 1800℃)中的生长元在高温下溶解，在低温下 以清晰地观察到，沿着pn结内表面射出的带 沉淀。BN粉末(CBN或hBN)作用的生长基 白色的蓝光。这光能在室内光线下用肉眼很 维普资讯 · 42 · 金刚石与磨料磨具工程