加硼金刚石膜的制造方法.pdfVIP

维普资讯 加硼金刚石膜 的制造方法 本专利涉及导电金 刚石膜的制造方法 ， (EACVD)，是基体上部在 负压桑件下的氢和 特别是化学气相沉积 (CVD)法制造加硼金刚 碳氢化合物气体混合物气氛 中，保持至少 石膜 的方法 。 400℃的温度。基体上部表面用电子进行轰 多年来，一直采用碳源 (如石墨)在高于 击 ．使金刚石晶芽在其表面上形成 。晶芽进 5O千 巴的压力和 1200℃以上的温度下 ，加入 一 步生长，从而形成金刚石薄膜 。 金属触媒如镍，钴或铁来合成金刚石。然而 制造导电金刚石薄膜 时，必颓对金刚石 这种技术得到的金刚石 总含有微量金属触 掺杂，以使其导电，尤其是加硼。 媒。 已知金 刚石薄膜 中所 添加的硼 为硼化 用化学气相沉积 (CVD)技术合成金刚石 物 ．如 BH3、B2H6或者 B2 。例如欧洲专利 亦是可能的。这种技术是对 由氢和碳源 (如 EP518538，所得加硼金 刚石膜含 硼 1000～ 碳氢化台物)组成的气体混合物施加充分的 451X)ppm，硼来 自含 B2 的 H2／CH 混台物 。 能量，使氢分解为原子氢，碳源分解为活性碳 在美国专利 US4740263中，加硼金刚石 离子、碳原子或者CH游离原子团，将这些物 膜是通过 电子辅助 CVD而得到。工艺包括 质沉积在基体上，在那里形成金刚石。 在 电子轰击下，在保持负压的反应腔中，使用 可以用不同的技术来完成气体的分解。 氢、碳氢化合物和微量 乙硼烷组成的混合气 例如，我们可列举叫作 “等离子体增 强 体，使金刚石晶核在平面基体上形成千¨生长．， CVD”技术。这种技术是：用一个腔体组成反 这种方法的主要 问题是 ，BH 快速二聚 应器，该腔体能密封，并利用泵使其内产生低 成 B2H6，而 B2H6会聚合成稳定 的聚 甲删J烷 压。要镀覆的部件放置在金属支撑体 (支撑 形式。这些聚甲硼烷的形成能够直接与金刚 载体阳极)上，该支撑体连接到电源上 ，若有 必要可通过密封绝缘体连接 。由一种或几种 石的掺杂相竞争．而且 甲硼烷和乙硼烷是剧 碳氢化合物组成的含碳气体 ，往往是甲烷 、乙 毒物质 ，必须用昂贵的安全设备来处理它们一 炔、丙烷或丁烷 ，可以加入氢和，或稀有气体， 当掺杂金刚石薄膜利用热丝 CVD沉积 特别是氩，打开泵，通过计量阀将其引入反应 制备时，氧化硼的使用导致热丝的迅速氧化 器中。在要求的压力和电功率下 ，气体被物 而且反应腔内氧化物的存在导致基体上绝缘 理化学激活并离子化，以使原子失去其部分 氧化物的形成。 电子而转变为正电粒子 ，如此形成等离子体， 欧洲专利EP—A一509875叙述了介于石 引起气体混合物的 “破裂”，沉积在待镀覆部 墨与金刚石间的非晶体结构的类金刚石硬质 件上。等离子体被称作 “外壳”的区域所包 膜的制造方法。根据该文献中叙述的技术， 围，离子通过其加快速度。关于这种沉积技