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北京交通大学电气工程学院数字电子技术第六章,西安交通大学电气学院,北京交通大学电气学院,上海交通大学电气学院,西南交通大学电气学院,大连交通大学电气学院,华东交通大学电气学院,西安交通大学城市学院,北京交通大学海滨学院,华东交通大学理工学院
第六章 可编程逻辑器件PLD 第一节 可编程逻辑器件PLD概述 第二节 可编程逻辑器件PLD的基本单元 第二节 可编程逻辑器件PLD的基本单元 第三节 可编程只读存储器PROM和可编程逻辑阵列PLA 第七节 随机存取存储器(RAM) (2)先设定电路的状态,根据触发器的激励方程和输出方程,可列出下表所示的电路状态转换表。 Q2 Q1 Q0 D2 D1 D0 Q2n+1Q1n+1Q0n+1 QCC 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 根据状态转换表,画出下图所示的电路状态转换图。 000 101 111 110 001 011 010 100 该电路是能够自启动的同步六进制计数器。 在计算机及数据处理系统中需要存放大量数据、中间结果、表格等设备,可以用随机存取存储器RAM。 RAM可分为单极型和双极型,这里只以单极型RAM为例进行分析。 单极型RAM又可分为静态RAM与动态RAM:静态RAM是用MOS管触发器来存储代码,所用MOS管较多、集成度低、功耗也较大。动态RAM是用栅极分布电容保存信息,它的存储单元所需要的MOS管较少,因此集成度高、功耗也小。静态RAM使用方便,不需要刷新。 一、RAM的基本结构 RAM的基本结构如下图所示: 存储矩阵、 地址译码器 读写电路 地址 片选信号 读写控制信号 数据输入 和输出信号 * 可编程逻辑器件PLD概述 可编程逻辑器件PLD的基本单元 可编程只读存储器PROM和可编程逻辑阵列PLA 可编程阵列逻辑PAL和通用阵列逻辑GAL 高密度可编程逻辑器件HDPLD原理及应用 现场可编程门阵列FPGA 随机存取存储器RAM 小结 PLD是70年代发展起来的新型逻辑器件。 一、PLD的基本结构 与门 阵列 乘积项 PLD主体 输入 电路 输入信号 互补 输入 输出函数 反馈输入信号 或门 阵列 和项 输出 电路 F2=B+C+D 二、PLD的逻辑符号表示方法 1. 输入缓冲器表示方法 A A A 2. 与门和或门的表示方法 固定连接 编程连接 F1=A?B?C × 下图给出最简单的PROM电路图,右图是左图的简化形式。 实现的函数为: 固定连接点 (与) 编程连接点 (或) 三、PLD的分类 1.与阵列固定,或阵列可编程: 可编程只读存储器PROM 可擦除编程只读存储器EPROM PLD基本结构大致相同,根据与或阵列是否可编程分为三类: 2.与阵列,或阵列均可编程: 可编程逻辑阵列PLA 3.与阵列可编程,或阵列固定: 可编程阵列逻辑PAL 通用阵列逻辑GAL 高密度可编程逻辑器件HDPLD A B C B C A 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 连接点编程时,需画一个叉。 全译码 1.与阵列固定,或阵列可编程 2. 与、或全编程: 代表器件是PLA(Programmable Logic Array)。在PLD中,它的灵活性最高。下图给出了PLA的阵列结构。 由于与或阵列均能编程的特点,在实现函数时,所需的是简化后的乘积项之和,这样阵列规模比PROM小得多。 × × 不像PROM那样与阵列需要全译码。 3. 与编程、或固定:代表器件PAL(Programmable Array Logic) 和GAL(Generic Array Logic)
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