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半导本 一、 半导体的基要知识 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般 都是导体 绝缘体：有的物体几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、 塑料和石英。 半导本：另一类物质的导电性处于导体和绝缘体之间，称为 半导体，如锗、硅、砷化镓和硫化物、氧化物等。 二、 本征半导本 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 在硅和锗晶体中，原子之间靠近的很近，分属于每个原子的 价电子受到相邻原子的影响，而使价电子为两个原子共有，每个 原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳 定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶 体。 共价键中的两个电子被电子紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子，在常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电 子，因此本征半导本的导电能力很弱。 在绝对 0 度和没有外界激发时，价电子完全被共价键束 缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子）， 它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够能量而 脱离共价键的束缚，成为 自由电子，同时共价键留下一个 空位，称为空穴。 本征导半导中存在数量相等的两种载流子，即自由电子 和空穴。一个空穴带一个单位的正电子电量，电子是构成原 子的基本粒子之一，质量极小，带负电。 三、 杂质半导本 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导本的 导电性能发生显著变化。 使 自由电子浓度大大增加的杂质半导本称为 N 型半导 体 （电子半导本），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为 P 型半导本 （空穴半导本） 1、 N 型半导本 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点 阵中的某些半导本原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个 价电子，其中四个与相临的半导本原子形成共价键，必定多 出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为 自由电子，这样磷原子就就成了不能移动的带正电电的离 子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 N 型半导本掺杂浓度远大于体征半导本中载流子浓度， 所以，自由电子浓度远大于空穴浓度， 自由电子称为多数载 流子（多子），空穴称为不数载流子（少子）。 2、 P 型半导本 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼，晶体点阵 中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有点三个 价电子与相临的半导本原子形成共价键时，产生一个空穴。 这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移 动的带负电的离子。由于硼原子接爱电子，所以称为受主原 子。 P 型半导本掺杂浓度远大于体征半导本中载流子浓 度，所以，空穴浓度远大于 自由电子浓度，空穴称为多数 载流子（多子），自由电子称为少数载流子（少子）。 总结： N 型半导本电子是多子 P 型半导本空穴是多子 半导本二极管 一、 PN 结的形成 在同一片半导本基片上，分别制造 P 型半导体和 N 型 半导本，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了 PN 结。 在半导体中真正移动的其实是电子，空穴的移动也是电 子移动造成的，但是电子移动和电流是反向的，因此为了方 便而把空穴看成正电荷移动，也就成电流了，但实质还是电 子移动。 电子的移动就相当于空穴的移动，空穴的移动就相当于 正电荷的移动 扩散是指 P 区(或 N 区)多子的移动，漂移是指 P 区(或 N 区) 的移动。 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两 个区间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变，称为 PN 结。 注意 1、 空间电荷区中没有载流子 2、 空间电荷区中内电场阻碍 P 中的空穴、N 中 的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动） 3、 P 中的电子和 N 中空穴（都是少子），数量 很限，因此由它们形成的电流非常小（几个 微安） 二、 PN 结的单向导体性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思是：P 区加正、