TiO2掺杂WO3粉体的制备及其性能研究.pdfVIP

TiO。掺杂WO。粉体的制备及其性能研究／7显珍等 ·21 · TiO2掺杂 WO3粉体的制备及其性能研究 刁显珍 ，王小刚 (重庆科技学院化学化工学院，重庆 401331) 摘要 以NaWO4和 HCl为原料通过液相沉淀法制备了W()3粉体，再用钛酸四丁酯和制备的WOa粉体通 过钛酸胶体浸渍法制备了TiO 掺杂的wO3粉体，并利用傅里叶红外光谱仪和紫外一可见分光光度计对产品的性能 进行了表征。结果表明，当煅烧温度为550℃、Ti02掺杂量为5 、催化剂最佳用量为 0．04g时，Ti0z掺杂的WOs 粉体的催化降解性能最好，对甲基紫的降解率可达 88．56 。 关键词 WOs 掺杂 制备 光催化性能 中图分类号：TB321 文献标识码 ：A StudyonPreparation andPropertiesofTiO2DopedW OsPowder DIAO Xianzhen，WANG Xiaogang (CollegeofChemistryandChemicalEngineering，ChongqingInstituteofTechnology，Chongqing401331) Abstract TheWOapowderwerepreparedthroughliquidprecipitationusingNa2WO4andHC1asraw mate- rial，andTi02dopedWOapowderwerepreparedthroughtitanium acidcolloidimpregnationbytetrabutyltitanateand WO3powder．TheperformancesoftheproductswerecharacterizedbyFourierinfraredspectrometerandultraviolet— visiblespectrophotometer．TheresultsshowedthatTi02dopedWOapowderhavethebestcatalyticdegradationper— fomr ancewithcalcinationtemperature550℃ ，TiO2dopingcontent50o，andthebestdosageofcatalyst0．04g，and thedegradationrateofmethylenevioletcanreach88．56 ． Keywords W O3，doping，preparation，photocatalyticperformance 半导体催化光降解有机物由于具有可在室温下直接利 液 中，在室温下剧烈搅拌0．5h，8O℃真空干燥后放置于马弗 用太阳光将各类有机污染物完全矿化、无二次污染等独特性 炉中，分别在 400℃、500℃、600℃、700℃高温下煅烧 3h， 能而成为一种理想的环境污染治理技术 ，成为近年来国内外 制得TiO 掺杂的WO。粉体。 最活跃的研究领域之一_l1-。]。研究和使用较多的光催化半导 1．2 WOs粉体的性能研究 体有 TiO 、SnO。、CdS、ZnO等。与常规光催化剂相 比，WO。 光催化性能由上海美达仪器有限公司生产的UV_1100 通常表现出较低的光催化活性，但是它具有易纯化、带隙小 型紫外一可见分光光度计检测，将制得 的样品加入到 5mg／L (2．2～2．8eV)及可有效地吸收紫外和可见光等物理化学性 甲基紫溶液中超声波处理 0．5h，用紫外可见分光光度计测 质，因而在光催化领域受到人们的广泛关注_l4]。 定 甲基紫溶液降解前后的吸光度 (每 20min测定 1次，光照 研究表明，金属氧化物与半导体复合是提高半导体光催