高密度氧化铟锡（ITO）靶材制备工艺的研究进展.pdfVIP

高密度氧化铟锡 (ITO)靶材制备Z-艺的研究进展 ／王 松等 ·207 · 高密度氧化铟锡 (ITo)靶材制备工艺的研究进展 王 松 ，谢 明，王塞北，杨云峰 ，付作鑫 (昆明贵金属研究所 ，稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室 ，昆明 650106) 摘要 IT0靶材是导电玻璃、LED、太阳能电池等行业的核心材料之一。综合评述了高密度 ITO靶材的研究 现状。介绍了ITO粉末的制备方法如机械混合法、喷雾热分解法、喷雾燃烧法、化学共沉淀法、金属醇盐水解法、水 热合成法等以及 IT0靶材的制备工艺。比较和分析了IT0粉体和靶材各制备工艺的优缺点。最后提 出了制备高品 质 ITO靶材的研 究方 向。 关键词 氧化铟锡靶材 高密度 制备 中图分类号：TF123．72 文献标识码：A ResearchDevelopmentofPreparingHighDensityITOTarget WANG Song，XIEM ing，W ANG Saibei，YANG Yunfeng，FU Zuoxin (StateKeyLaboratoryofAdvancedTechnologiesforComprehensiveUtilizationofPlatinum Metals， KunmingInstituteofPreciousMetals，Kunming650106) Abstract IT0 targetisoneofthecorematerialsoftheconductiveglasses，LEDandsolarcells．Theresearch statusofhighdensityITO targetisreviewed．PreparationmethodsofITO nanoparticlessuchasmechanicalmixing， spraypyrolysismethod，spraycombustion，chemicalco-precipitation，metalalkoxidehydrolysismethodandhydro— thermalsynthesismethodaresummarizedandanalyzed，aswellastheITO target．Theresearchdirectionsforthe preparationofgoodqualityITO targetarealsoproposed． Keywords ITO target，highdensity，preparation 对密度 。国际上高品质 ITO靶材的主要技术特征如表 1所 0 引言 示，组织形态如图1所示。由图1可见，ITO靶材基体中各 IT0靶材是制备 ITO导电玻璃的重要原料。ITO靶材 个晶粒间结合紧密 、晶粒细微均匀 ，晶粒尺寸为 3～6gm。 除应用在液晶显示器(LCD)面板外，还可应用在许多电子产 表 1 ITO靶材的主要技术特征 品上，如触摸屏、有机发光平面显示器 (OLED)、等离子体显 Table1 MaintechnicalfeaturesofITO target 示器(PDP)、汽车防热除雾玻璃、太阳能电池、光 电转换器、 指标 性能描述 透明加热器防静电膜 、红外线反射装置等__]]。ITO靶材经 达到 99．99％以上 ，主要杂质元素 Cu、Fe、