NAND Flash图像记录系统底层写入控制技术.pdfVIP

第39卷第9期 光电工程 Vo1．39，No．9 2012年 9月 Opto—ElectronicEngineering Sept，2012 文章编号：1003—501X(2012)09—0138—07 NANDFlash图像记录系统底层写入控制技术 徐永刚1,2，任国强 ，吴钦章 ，孙 健 2 (1．中国科学院光电技术研究所，成都 610209； 2．中国科学院研究生院，北京 100049) 摘要 ：为提高图像记录系统中NANDflash阵列的存储带宽，分别研究和实现了NANDflash的片内交叉写入、片 内并行写入和片内交叉并行写入控制技术，在此基础上提出了片内交叉写入和片外2级流水线结合的写入方法， 该方法利用两组NANDflash片内交叉写入的命令地址和数据加载时间来填补烧写时间。最后用硬件方式在FPGA 中分别实现了上述各种写入控制方式的控制器。实验结果表明：本文实现的片内并行写入和片内交叉并行写入是 普通写入方式速度的1．48903倍和3．27706倍，而本文提出的写入控制方法的写入速度是普通写入方式的3．96038 倍，高于片外4级流水线的性能情况下，将FPGA管脚资源占用节省 20％，有效降低了成本和记录系统实现难度。 关键词 ：交叉写入；流水线；NANDflash控制器；FPGA 中图分类号：TP391．41 文献标志码 ：A doi：10．3969~．issn．1003-501X．2012．09．022 W riteControlTechnologyofNAND FlashImageRecordingSystem XUYong．gang，一，砌 ￡NGuo．qiang，WUQin．zhang，SUNJian (1．InstituteofOpticsandElectronics，ChineseAcademyofSciences，Chengdu610209，China； 2．GraduateUniversityofChineseAcademyofScience，Bejiing100049，China) Abstract：Toenhancethewritebandwidth ofNAND flashimagerecordingsystem，theNAND flash on·chip write technologiesofinterleave，interleavetwoplaneandtwoplna eareresearchedandimplementedrespectively．Then，anew methodbasedonNAND flashon—chipinterleavewritenadoff-chip 2levelpipeliningisproposed，which utilizeshte interleaveloadtimeofwtoNAND flashgroupstofillhteprorgammingtime．Finally,htecontrollerwitheachwritemode isrealizedin FPGA intheway ofhardware．Theexperimen~lresultsshow thaton-chipwt o plnaewritespeedand on-chipinterleavewt oplanewritespeedare1．48903timesand3．27706timesofordinarywritespeedrespectively． However,thewritespeedofmehtodproposedbythispaperis3．96038timesofordinarywritespeed，slightlyhigherthna the 3．9