SU-8光刻胶制作三维光子晶体.pdfVIP

维普资讯 第34卷第8期 光电工程 Vo1．34，No．8 2007年 8月 Opto—ElectronicEngineering Aug，2007 文章编号：1003—501x(2007)08—0028—04 SU一8光刻胶制作三维光子晶体 张晓玉，高洪涛，周崇喜，刘 强，邢廷文，姚汉民 (中国科学院光电技术研究所 微细加工光学技术国家重点实验室，四川 成都 610209) 摘要：针对 SU．8光刻胶应用于三维光子晶体的制作研究，本文提 出并实现了对 SU．8光刻胶的重要成分 SU．8环 氧树脂采用柱层析和高压液相色谱．尺寸排阻色谱法进行分离，分离结果表明SU．8环氧树脂分子量分布范围很大， 从大约 100～100000，包括 SU．1、SU．2、SU．4、SU．6、SU．8多种组分及其混合物。采用分离后的 SU．8和 SU．6 纯组分配制了性能优化的SU．8光刻胶，并总结了其最佳光刻工艺，结合干涉光刻技术制作了晶格常数为 922nm 的三维面心立方光子晶体结构。 关键词：SU．8光刻胶；三维光子晶体；柱层析；尺寸排阻色谱法 中图分类号：TP305 文献标志码：A Three—-dimensionphotoniccrystalsfabricationusingSU—-8photoresist ZHANG Xiao-yu，GAo Hong-tao，ZHOU Chong-xi， LIUQiang，XINGTing-wen，YAOHan-min (StateKeyLaboratoryofOpticalTechnologiesforMicrofabrication，theInstituteofpOticsandElectronics， theChineseAcademyofSciences，Chengdu610209，China) Abstract：InordertostudySU一8photoresistapplicationtothree—dimensionphotoniccrystalsfabrication，theseparation ofeponSU一8wasproposedandrealizedusingcolumnchromato~aphyandsizeexclusionchromato~aphy．Theresults indicatethatthemoleculra weightdistributionofeponSU一8isfrom about100to100000，nadincludesSU一1，SU一2，SU一4， SU一6，na dSU一8differentcomponent，na dtheirmixture．Accordingtothesepraationresults，theoptimalSU一8photoresist was compounded using SU一6 and SU一8 pure componentand the optimallithography processwas gotten．Th e three-·dimension face-·centered-·cubic photonic crystalswiht crystal lattice constant922nm were fabricated using interferencelithography． Keywords：SU一8photoresist；3-D photoniccrystals；column chromato~aphy；sizeexclusionchromato~aphy 引 言 光子晶体的概念首先提出于 1987年，由美国贝尔通讯研究中心的Yablonovitch[1]和普林斯顿大学物理 系的John 分别独立地提出的。光子晶体是一类介 电常数呈周期分布的人工结构材料，当电磁波在其