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光电工程
维普资讯
第33卷第3期 光电工程 Vo1．33，No．3
2006年 3月 Opto—ElectronicEngineering March，2006
文章编号：1003—5Olx(2006)o3—001O卜O5
激光剥离Al2O3／GaN中GaN材料温度场的模拟
王 婷，郭 霞，刘 斌，沈光地
(北京工业大学 电子信息与控制工程学院，北京市光电子技术实验室，北京 100022)
摘要：对激光剥离AI2O3／GaN技术，建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模
型．计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时，GaN外延层内的温度场分布，由此得到激光剥离
的阈值条件。采用紫外KrF准分子激光器对AI2O3／GaN样品进行激光剥离实验，样品表面显微镜
和端面扫描电镜(sEM)测试照片说明，计算结果与实验现象相符．进一步分析表明，脉冲激光的
能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数，适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在
l00nm 以内，实现高效低损伤激光剥离。
关键词：温度场；激光剥离；脉冲激光；GaN
中图分类号：TN312+．8 文献标识码：A
TemperaturefieldsimulationofGaNmaterial
duringAI203／GaN laserlift—off
WANGTing，GU0Xia，LIUBin，SHENGuang-di
(InstituteofElectronicInformation＆ControlEngineering，BeltingUniversityofTechnology，Beijing
OptoelectronicTechnoloyg Laboratory，Bejiing100022，Chnia)
Abstract：Heatflow modelinGaN filmsirradiatedbyultravioletpulselaserinlaserlift-offtechnique
WaSestablished．ThetemperaturefieldofGaN filmsirradiatedbypulselaSerwithdifferentenergy
densitywascalculated．ThethresholdenergydensitynecessaryforlaSerIifI-Of1Fisobtainedrfom the
calculation．TheAI2O3／(3}aN laSerlift-offexperimentusingKrFexcimerlaserwasalsocarriedout．The
imagesofmicroscopeandScanningElectronMicroscope(SEM)rfom theexperiment show the
calculationresultsareconsistentwithexperiments．ItiSalsoofundthattherfequencyandenergydensiyt
ofpulselaserarethekeyparametersofrlaSerlift-of1Ftechnique．Usingtheproperparameters，high
temperatureregioninGaN canbeconfinedto100nm indepth，andlaSerlift-offwithhighefficiency、
lowdma agecanberealized．
KeyWOrds：Temperaturefield；Laserlift-off；Pulselaser；GNa
引 言
GaN基蓝光、蓝绿光发光二极管(LED
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