激光化学诱导液相腐蚀新方法.pdfVIP

维普资讯 第 32卷第 10期 光 电工程 v0l-32．No．1O 2005年 1O月 Opto·ElectronicEngineering oct．2005 文章编号：1003—501X(2005)10—0089—04 激光化学诱导液相腐蚀新方法 刘 霖 ，叶玉堂 ，赵素英 ，刘娟秀2，范 超 ，吴云峰 ，王昱琳 (1．电子科技大学 光 电信息学院，四川I成都 610054； 2．电子科技大学 电子工程学院，四川 成都 610054) 摘要：提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法一一抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀 中， 用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论分析和实验结果都表明，抗蚀膜掩蔽法可以有效地 控制激光化学腐蚀的图像形状；因不需要对激光光束进行聚焦，光传播垂直于基片表面，制作出 的腐蚀孔侧壁可以具有很高的垂直度；利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点，使小面 积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等，腐蚀面 内各点没有明显的高度差 因为以上优点，抗蚀膜掩蔽 法能克服现有激光腐蚀方法的诸多弊端，简化激光腐蚀工艺，在特殊结构光电器件和光电集成中 具有广泛的应用前景。 关键词：激光辅助腐蚀；光 电子；半导体化合物 中图分类号：TN305．7 文献标识码：A New methodoflaserinducedwet-chemicaletching LIULin ，YEYu．tang，ZHAO Su．ying，LIUJuan．xiu， FAN Chao ，W UYun．feng1 ， W ANG Yu．1in (1．SchoolofOpto—electronicInformation，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina， Chengdu610054，China； 2．SchoolofElectronicEngineering，Universiytof ElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China) Abstract：A new method——laser·assistedwetmask·etchingisproposed．Thismethodcancontrolthe etchingareawithresistantfilm masking．Boththeoreticalanalysisandexperimentalresultsshow thatthe imageshapeformedbylaserchemicaletchingcanbeeffectivelycontrolledbyresistantfilm masking andhighlysteepsidewallscanbeobtainedindeepetchedholesbecausehtelaserpropagatesnomr ally tothesurfaceofsemiconductorsubstrateswithoutspreadingandnearlyhomogeneouspowerdensityin thecenteroflaserbeam，thustheetchingrateintheetchingraeaisapproximatelythesame，theetched areahasnosignificantelevationdifference．Sincetheresistantfilm maskingmethodhastheabove— mentionedadvantages，manyfaultsofcurrentlaseretchingmethodca