极紫外投影光刻两镜微缩投影系统的光学设计.pdfVIP

维普资讯 第34卷第 12期 光电工程 Vo1．34，No．12 2007年 12月 Opto—ElectronicEngineering Dec，2007 文章编号：1003—501X(2007)12—01l3—05 极紫外投影光刻两镜微缩投影系统的光学设计 王丽萍 1,2，金春水 ，张立超 (1．中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室，吉林 长春 130033； 2．中国科学院研究生院，北京 100039) 摘要：极紫外投影光刻(EUVL)~镜微缩投影物镜通常采用 Schwarzschild结构和平场结构。本文分析了这两种结 构在EUVL不同发展阶段的设计特点，并依据有限距反射系统像差理论，从解析解出发，设计了两套平场两镜系 统，分别用于对分辨力为70nm、无遮拦、环形视场扫描曝光系统及 目前研制的EUVL32nm技术节点小视场曝光 系统的研究。系统设计指标满足极紫外投影光刻要求。 关键词：极紫外投影光刻；投影物镜；平场两镜系统；光学设计；光刻技术 中图分类号：TB85l 文献标志码：A Two-mirrorsystemdesignstudyofreducedprojection opticsforEUV Lithography W ANG Li．pingl一，JIN Chun．shuil，ZHANG Li-chaol (1．StateKeyLaboratoryofAppliedOptics，ChangchunInstituteofOptics，FineMechanicsand f， theChineseAcademyofSciences，Changchun130033，China； 2．GraduateSchooloftheChineseAcademyofSciences，Beijing100039，China) Abstract：To study the two-mirrorreduced projection opticsforExtremeUlrtavioletLithography (EUVL)， Schwarzschilddesignofrm andflatfielddesignofmr wereinvestigated．Ananalyticdesignmehtodofrflatfielddesign ofmr wasemployed．Fomr ulasweresetupbasedonhtetheoryofreflectiveopticswihtfiniteobject．Theinitialdesignof htewt o—mirrorsystem freeofhtirdordersphericalaberration，coma，astigmatism andfieldcurvatureweredetemr ined． SystemswereoptimizedtakingspecialrequirementsofEUVL intoaccount．Finally,accordingtona alyticsolution，wt o flat-fieldimagingsystemsweredesing ed．Itisappliedtounobstructedscanningsystem wiht 70nm spatialresolutionand microfieldexposuresystem ofr32nm node．Analysisofdesing resultssuggestshtatt