宽束离子源的均匀性分析.pdfVIP

维普资讯 第29卷第5期 光 电工程 Vo1．29，No．5 2002年 10月 Opto—ElectronicEngineering Oct，2002 文章编号：1003—501X(2002)05—0059—03 宽束离子源的均匀性分析 刘洪祥，张云洞，李凌辉，熊胜明 (中科院光电技术研究所，成都 四川 610209) 摘要：在离子束溅射和离子辅助沉积光学薄膜技术中，离子源是其中最关键的单元技禾之一。通 过测试宽束离子源束流密度的空间分布，研究了影响离子束均匀性分布的两个主要因素：加速 电 压和B／B。结果表明，随着加速电压的增加，离子束束流密度的分布趋向均匀；而B／B对离子束 均匀性的影响不大。 关键词：离子束溅射；离子源；均匀性； 光学薄膜 中图分类号：0484．1 文献标识码 ：A - UniformityAnalysisforBroad．beam IonSource LIU Hong-xiang， ZHANG Yun-dong， LILing-hui， XIONG Sheng-ming (InstituteofOpticsandElectronics，ChineseAcademy ofSciences，Chengdu610209，China) Abstract：Inion—beam sputteringdepositionandion—beam aiddeposition thinfilm techniques， ion—beam sourceisoneofthekeytechniques．Throughtestingdensityandspatialdistributionofthe broad-beam ionsource，twomainfactors—acceleratingvoltageandE／B affectinguniformitydistribution ofion-beam arestudied．Theresultsshow htathteion—beam densitydistributionwilltendtouniform withtheincreasingofacceleratingvolatge．TheinfluenceofE／Bonion-bema uniformityissmal1． Keywords： Ionbeam sputtering；Ionsource；Uniformity；Opticalhtinfilms 引 言 在二十世纪六十年代，宽束离子源最开始是为空间飞行器的推进器设计的川，它不同于当时在真空中 使用的离子源。自七十年代初期开始，由于具有束流大、可控性强、效率高等优点，它逐渐在工业生产中 获得了广泛的应用。近几十年来，宽束离子源获得了很大的发展，同时也出现了多种类型的宽束离子源， 例如早期的考夫曼源，Low．ContaminationBBISs，GriddedBBISwihtRFDischrages，End．HallBBISs等。 由于宽束离子源的复杂性及技术性较强，宽束离子源的使用对操作技术人员的要求较高，因此，操作 问题一直被认为是限制其在工业生产中广泛使用的最主要障碍。宽束离子源在使用的过程中，经常会出现 的一些问题，例如电子返流，加速 电流过大，栅极的腐蚀和污染以及放 电困难等[2】。如果这些问题不能得 到及时的纠正，就会对离子源造成很大的损害，缩短离子源的使用寿命，同时也不可能得到高质量的产品。 本文结合实验的实际需要，主要研究了宽束离子源的加速电压和E／B对束流均匀性的影响，并且对实 验结果作了进一步的分析和探讨。 1离子源的结构、原理 离子束溅射系统采用了美国IonTech．Inc．生产的射频离子源，其结构原理如图 1所示。气体通过专门