冷压印光刻中斜纹光栅对准信号计算模型.pdfVIP

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光电工程

维普资讯 第 32卷第 l0期 光 电工程 Vo1.32.No.10 2005年 10A Opto—ElectronicEngineering 0ct.2005 文章编号:1003-50IX(2005)10—0093—04 冷压印光刻中斜纹光栅对准信号计算模型 成 丹 ,卢秉恒 ,丁玉成,王 (两安交通大学 机械制造系统国家重点实验室 ,陕两 西安 710049) 摘要:采用傅里叶光学的方法,分析 了冷压 印光刻 中新型斜纹光栅对准标记的透光特性 。 分析表 明,对准信号与光栅副相对位移之 间是正弦变化关系,且对准位置附近是一个陡直的线性区 。 该 区对准信号的灵敏度很高,适合于多层套刻对准,根据信号和位移的线性关系 , 给 出初步的对准 信号计算模型。由于抗蚀剂的存在,使晶片表面反射率随位移而变化 , 提出用反射率因子进行修 正的方案。反射率因子 中包含有位移信息,将其与初步对准信号模型相乘 , 得到修正的计算模型。 由新模型,研究了抗蚀剂平均厚度不同对对准信号的影响,说明要获得高灵敏度的信号 , 抗 蚀剂 厚度应取满足压印条件的最小值。 关键词:压印光刻:斜纹光栅;对准:傅里叶光学;莫尔条纹 中图分类号:TN305.7 文献标识码 :A M 0delforthecalculationofslantgratingalignmentsignals ofroom-temperatureimprintlithography 莉 CHENG Dan,LU Bing-heng,DING Yu.cheng , WANG Li StateK LabforManufacturingSystemsEngineering. Xi’nnJiaotongUnile‘rsi0’,Xi’aH710049 . China、 Abstract: An alignmenttech

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