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版图设计与L-Edit软件Layout and L-Edit  集成电路版图设计 集成电路设计 集成电路版图设计 集成电路版图设计 集成电路版图设计 集成电路版图设计 CMOS P衬N阱 1P4M 工艺 集成电路版图设计 NMOS对应立体结构和平面版图 版图的层次定义 NMOS 版图层次(CMOS P衬N阱工艺) Active：有源区 N select：N+注入 Poly：栅 Metal1：金属1 Contact：接触孔 版图的层次定义 PMOS 版图层次（ CMOS P衬N阱工艺） Active：有源区 P select：P+注入 Poly：栅 Metal1：金属1 Contact：接触孔 N-Well：n阱 版图的设计 CMOS管的宽长比定义 MOS W(um) L(um) P1 14 2 N1 6 2 目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率。 定义：考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平(包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。 版图的设计规则 版图的设计规则 PO （poly的设计规则） 单位为um 版图设计 版图的设计规则 CO（Contact的设计规则） 单位为um ■不同的工艺对应不同的设计规则 ■工艺分类： ● Bipolar工艺（双极工艺） ● CMOS工艺 ● BiCMOS工艺 ● BCD工艺 ● CVD工艺 ■不同的foundry对应不同的设计规则 国内：中芯国际(SMIC) 台积电(TSMC) 上海贝岭(Belling) 华晶上华(CMSC) 华虹NEC(HHNEC) 上海先进(ASMC) 美光(Micron) ■同一个foundry不同的工艺也对应不同的设计规则 工艺与设计规则的关系 L-Edit ■版图设计工具的基本要求 ● 图形生成：画图工具 ● 图形单元操作：copy、instance等 ● 设计规则检查功能（DRC检查） ● 电学规则检查功能（ERC检查） ● 版图与电路图的对照（LVS检查） ● 版图原理图和寄生参数提取功能（后仿真LPE） L-Edit ■用到的版图层次 ● Active ● N Select ● P Select ● Contact ● N-Well ● Poly ● Metal1 ■用到的设计规则 L-Edit自带的DRC设计规则 版图的设计 版图的设计 信号连线对称的图例 ■ N管的周围应该加吸收少子电子的N型保护环（ntap），ntap环接vdd；P管的周围应该加吸收少子空穴的P型保护环（ptap），ptap环接gnd。双环对少子的吸收效果比单环好。 下图是一个N管保护环的例子。 ■ 在处理匹配性要求高的对管（如差分输入对管）时，采 用交叉对称的结构比较好 。下图为晶体管交叉对称 。 ■ Grid网格的大小不宜随意改动 。 ■ 引线孔千万不要叠在一起，应该并排放在一起 ，影响成 品率 。 ■ 走线相接触的地方，最好是overlap一下，以保证良好接 触 。 ■ 不要处处要求最小尺寸，应该略有冗余。 ■ 引脚的命名需要规范化，尽量都用英文字母 。 ■ 走线尽量多用M3、M4（电流承受能力强，电阻率小）。 一般性注意事项