碳纳米管阵列场致电子发射的屏蔽效应.pdfVIP

碳纳米管阵列场致电子发射的屏蔽效应 陈桂华1王伟良2彭洁3何春山2邓少芝2许宁生2李志兵2+ 1东莞理工学院电子系 2中山大学理工学院 3Max—PlanckInstituteforSolidState Research，Stuttgart，Germany 摘要：本文采用多尺度耦合计算方法模拟研究了微米长度(5，5)开口单壁碳纳米管阵列的发射情况。我 们发现，当碳管间距小于碳管长度时，施加在管阵上的电场遭到严重屏蔽，最佳的碳管间距大概等于 2’3倍的碳管长度，具体的数值则还跟外加电场有关。碳管间的这种屏蔽效应可以用一个屏蔽因子来描 述，该屏蔽因子是碳管间距与碳管长度比值的指数衰减函数。我们的模拟结果表明，管阵的厚度应该大 于某一数值，但是过度地增加厚度并不能显著地改善碳纳米管阵列的发射性能。 关键词：碳纳米管、场致电子发射、屏蔽效应 碳纳米管的一个重要用途就是作为平板显示器的冷阴极。理想的冷阴极结构是把碳纳米管垂直地以 阵列形式安置在负极板上。大量的文献已经指出，管阵中碳纳米管之间的距离可以严重地影响其电子发 射特性。[卜8]显然，管阵密度越大，碳管越长，管阵中的屏蔽效应越明显，单根碳管越难发射电子。 另一方面，管间距越大，单位面积上的碳管数目就越少，从而导致管阵发射的平均电流密度减小。因此， 定量地描述屏蔽效应，找到它对管阵发射性能的影响，就显得非常重要。Nilsson等人的计算结果指出， 当管间距等于两倍管长时，管阵的发射性能最优。[1]然而，Suh等人则认为，当管间距等于管长时， 长的时候，管阵的发射电流密度最大。[8]可见，目前的文献对如何选取管阵的结构参数以获得管阵最 优的发射性能问题还没有定论。在本文中，我们采用多尺度耦合的计算方法[9，10]，对外加电场作用 下长度在微米量级的(5，5)单壁碳纳米管阵列的场致电子发射进行了量子力学计算，研究了碳纳米管 阵列结构参数(例如管间距和管长等)对其发射性能的影响。 根据实际情况，碳纳米管被处理成一个开放系统，电子可以从基底金属阴极流进纳米管，整个管阵 的费米面等于基底(金属钨)的费米面。在我们的模型中，所有碳纳米管垂直地安置在阴极表面上，并 构成一个二维的方阵列。由于所有的碳纳米管都是全同的，因此我们只需要对处在其他碳纳米管作用下 的单根碳纳米管进行模拟计算，而其他的碳纳米管则作为我们模拟计算的那根碳纳米管的复制。在计算 单根碳纳米管的电荷分布的时候，我们采用多尺度耦合的计算方法，把长度在微米量级的碳纳米管分成 两部分。包含碳管尖端的部分称为量子区，采用量子力学方法处理。靠近衬底的部分称为半经典区，采 用分子力学方法处理。而两个部分的衔接，则由碳纳米管轴向的富余电荷分布的连续性条件给出。 由于碳纳米管尖端附近的静电势严重影响电子的发射，我们首先研究管阵中碳纳米管尖端附近的势 垒变化。简单起见，在管阵中我们采用氢原子饱和碳纳米管尖端碳原子的悬挂键。彭洁等人发现，氢原 子吸附降低真空势垒，有利于电子的发射，因此电子大部分从氢原子出射。[11]为了研究管间距对管 V／lam情况下，穿过某一氢原子且平行于管轴 阵发射性能的影响，我们计算了在外加电场届。，=12．0 的直线上的静电势随管间距的变化，结果示于图1中。图l(a)和(b)的数据分别对应于碳纳米管长 la u 度(管阵厚度)为1．00m和0．75m的情况。图中的Z轴平行于碳纳米管的管轴，原点位于氢原子 eV。因 核上。在我们的模拟计算中，我们假设碳纳米管的费米能级等于衬底的费米能级，即取为-5．0 此，图1中给出的势能曲线实际上就是控制电子发射几率的真空势垒。从图中可以看出，真空势垒随着 管间距的增大而下降，这跟外加电场降低真空势垒的机制一致。[9]因为当管间距增大时，管与管之间 的屏蔽效应就减小，施加到单根碳纳米管上的有效电场就增大，从而降低了碳纳米管的真空势垒。图 1(a)中的曲线比图l(b)的尖锐，这是由于前者对应的碳纳米管比后者对应的碳纳米管长，前者的场