1细胞凋亡与缺血性脑损伤.docVIP

1 细胞凋亡与缺血性脑损伤 内质网（endoplasmic reticulum，ER）在细胞内分布广泛，是真核细胞中重要的细胞器，其内膜表面积占细胞所有膜结构的50 %，体积占细胞总体积的10 %，参与重要的生理功能的维持，其基本生理功能包括负责蛋白质的合成转运、信号肽识别、糖基化修饰等过程以及钙离子的贮存和调节，信号转导及细胞内钙的再分布。内质网巨大的膜结构为细胞内活性物质的反应提供了一个广阔的平台，在许多信号调控中起到关键作用。最近的研究表明，内质网是细胞凋亡调节中的重要环节［1］。 细胞应激涉及线粒体、内质网、细胞核等细胞器的应激，他们既相对独立，又相互作用［2］。内质网是细胞加工蛋白质和贮存Ca2+的主要场所，对应激极为敏感，其功能紊乱时出现错误折叠与未折叠蛋白在腔内聚集以及Ca2+平衡紊乱的状态，称为内质网应激（endoplasmic reticulum stress，ERS）［3］。ER非常敏感，葡萄糖/营养素缺乏、蛋白质糖基化抑制、二硫键形成障碍、蛋白质转运异常、Ca2+耗竭等刺激都可导致ER功能失调，发生内质网应激。内质网应激主要激活三条信号通路：未折叠蛋白反应（unfold protein response，UPR）、内质网超负荷反应（endoplasmic reticulumoverload response，EOR）和固醇调节级联反应。前两者是由于蛋白质加工紊乱所致，后者则是在ER表面合成的胆固醇损耗所致。 凋亡(apoptosis)又叫程序性细胞死亡，是指机体在生理条件下受到刺激后，经过多种信号传递导致细胞产生一系列生态和生化方面的改变而引起细胞程序性死亡的过程。自1972年John Korr第一次提出凋亡概念后，经三十多年的研究，目前已知有三条主要的细胞内信号转导通路来调控细胞凋亡:(1)线粒体通路;(2)死亡受体通路;(3)内质网通路。传统的观点认为，线粒体受损后能释放多种促凋亡物质，从而导致细胞凋亡。最近的研究表明，脑缺血后损伤内质网，导致内质网应激，最终通过多种途径致使神经元凋亡［4］。 脑血管病是危害人类生命和健康的常见病和多发病，其中缺血性脑中风占75 %—85 %。有关缺血性脑损伤的基础研究和临床治疗方面均取得很大进展。新近研究证实，在缺血半暗区确实发现有凋亡细胞和神经细胞再生。与急性缺血性神经元坏死相比，半暗区的侧枝循环尚未完全中断，因此，缺血性中风的治疗关键在于延长治疗时间窗和及时挽救缺血半暗带尚未死亡的神经元［5］。缺血再灌注（ischemia/reperfusion，I/R）时，缺氧、酸中毒、ATP耗竭、钙超载及大量自由基生成等均可作为诱导ERS的刺激因素，ERS在I/R损伤的发生发展中具有重要意义［6］。 2 脑缺血诱导的内质网应激及其引发的细胞凋亡 2.1 脑缺血后Ca2+浓度变化对内质网的影响及其引起的细胞凋亡 Paschen等发现，细胞在短暂性脑缺血时的变化与神经元内质网Ca2+稳态受到破坏后，都出现了内质网应激，显示内质网Ca2+稳态紊乱参与了缺血性脑损伤的病理生理学过程，内质网应激可能是脑缺血细胞损伤的关键环节［8］。 细胞内游离钙浓度的变化参与细胞内绝大多数信号传导，调节大部分的细胞功能。内质网是细胞内巨大的钙库，正常情况下，内质网内Ca2+浓度为0.1～1 mmol/L［11］。研究证明，多种刺激因素可以引起内质网内钙离子的动态变化，继而引发迅速或持久的改变，决定细胞的命运。一般情况下，内质网的Ca2+浓度主要依靠3种受体通道调节：内质网内吸收Ca2+钙泵，起释放Ca2+作用的莱恩素受体（ryanodine receptor，RyR）和三磷酸肌醇受体（IP3 receptor，IP3R）通道。内质网腔内的Ca2+主要发挥2种作用：一是释入胞质作为第二信使；二是在内质网腔内调节蛋白酶活性［12］。 脑缺血很容易造成内质网损伤，尤其是在再灌注损伤时。在缺血区，由于神经元缺少氧气和能量，引起跨膜离子浓度失衡，细胞膜去极化导致电压依赖性钙通道开放，突触前兴奋性氨基酸释放，其与突触后相应的受体结合后导致细胞外Ca2+内流；此外，缺氧产生的一氧化氮（NO）等也可使内质网中Ca2+释放。内质网Ca2+的释放在大量细胞凋亡实验中被证实［13］。内质网的钙释放参与Bad和Caspase 在不同诱因凋亡中的激活；三磷酸肌醇介导的Ca2+释放与凋亡直接相关。破坏内质网内Ca2+的稳态可以导致内质网应激，包括内质网超负荷反应以激活转录因子NFκB为主要特点，启动多种前炎性蛋白和细胞黏附分子的转录表达，对凋亡进行调控［14］。此外，内质网是完成蛋白质四级结构折叠形成的部位，在内质网内存在着多种相关的酶系统，实验证实，这些蛋白质中的大部分功能与Ca2+浓度的动态变化密切相关。因此，内质网内C