AgBrI微晶上硫增感中心Ag2S分子团簇的陷阱效应分析.pdfVIP

540 中国科学 G 辑 物理学 力学 天文学 2004, 34(5): 540~548 AgBrI 微晶上硫增感中心Ag S 分子团簇的 2 陷阱效应分析* ** 杨少鹏 傅广生 李晓苇 田晓东 (河北大学物理科学与技术学院, 保定 071002) 摘要 利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为, 获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间分辨谱信号. 分析了 AgBrI T 颗粒乳剂硫增感产物的陷阱效应与增感时间和增感温度的关系. 确定了 硫增感产物的陷阱效应随增感时间和增感温度的变化趋势, 其变化顺序依次是 空穴陷阱 浅电子陷阱和深电子陷阱. 关键词 卤化银 硫增感 光电子 电子陷阱 微波相敏检测 化学增感是提高卤化银感光度的重要方法. 在卤化银乳剂中加入化学增感剂 后, 与物理成熟后的乳剂相比, 感光度可以得到几倍, 甚至几十倍的提高. 微晶通 过化学增感后在其表面生成了增感中心, 这些中心能在形成潜影的过程中起节约 光电子的作用. 正因为如此, 多年来化学增感一直受到普遍的关注. 在各种化学增 感方式中, 硫增感是应用时间最长, 也是最重要的增感手段之一. 自从 1925 年 Sheppard 发现硫的化合物能够提高照相感光度后, 人们从各种角度对硫增感的反 应过程和微观机理进行了深入而广泛的研究. Hamilton 和 Kellogg 等人分别利用 红外光谱和热激电流技术研究了硫增感中心的电子陷阱深度和硫增感中心的热 [1, 2] 力学深度 . Tani 研究了硫增感后八面体AgBr 乳剂颗粒表面的感光度 灰雾和 [3] 光电导, 提出了硫增感中心和灰雾中心的结构和电子能级模型 . 这些研究增加 了人们对硫增感过程的深入理解, 并奠定了硫增感剂应用和感光性能提高的理 论基础. 但是对硫增感过程的一些较重要问题, 还存在着许多的分歧, 比如硫增 感中心是电子陷阱还是空穴陷阱的问题, Gurney-Mott 认为硫增感中心是深电子 2004-02- 16 收稿, 2004-07-28 收修改稿 * 国家自然科学基金(批准号: 教育部科学技术研究重点项目(批准号: 01011) 河 北省博士基金(批准号:)资助项目 ** E-mail: spyang@ SCIENCE IN CHINA Ser. G Physics, Mechanics Astronomy 第5 期 杨少鹏等: AgBrI 微晶上硫增感中心Ag S 分子团簇的陷阱效应分析 541 2 [4] [3,5~8] 陷阱 , Tani 认为硫增感中心是浅电子陷阱 , 而Michell 及Belous 认为硫增感 [9,10] 中心是空穴陷阱 . 本文利用微波吸收介电检测技术, 得到了不同增感条件下 AgBrI T 颗