Al_2O_3_SiC纳米复合陶瓷中的残余应力分析.pdfVIP

( ) E 　辑 　　　　　　 　 中 　国 　科 　学 　　　 ( ) 第 29 卷 　第 3 期 SCIENCE IN CHINA Series E 　 1999 年 6 月 Al O SiC 纳米复合陶瓷中的残余应力分析 2 3 王宏志　高　濂　郭景坤 ( 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室, 上海 200050) 摘要 　　用 X 射线衍射的方法测定了 Al O SiC 纳米复合陶瓷的残余应力. 建立模 2 3 型 ,计算了残余应力 ,并与实验测定结果相吻合. 探讨了纳米复合陶瓷的增韧补强机 理. 关键词 　　纳米复合陶瓷 　残余应力 　氧化铝 　X 射线 自从80 年代末日本的Niihara 教授报道了在陶瓷基体中加入少量的纳米尺度颗粒可以使 材料的力学性能大幅度提高以来[1 ] ,纳米复合陶瓷成为材料界的研究热点[2～4 ] . 其中尤以 Al O SiC 纳米复合陶瓷的研究最为广泛 ,在 Al O 中加入少量的纳米 SiC 可以使其抗弯强度 2 3 2 3 从 350 MPa 提高到 1 500 MPa ,临界应力强度因子 K 从 3. 5 MPa ·m1/ 2提高到 4. 7 MPa ·m1/ 2 ,从 1C 而大大扩展了 Al O 基材料的应用范围. 到目前为止 ,不能肯定是哪种机理使纳米复合陶瓷 2 3 的力学性能大幅度提高 ,但大部分学者认为与残余应力状态有关[5 ,6 ] , 因此测量并计算纳米复 合陶瓷材料的残余应力是很重要的. 1 　试样的制备 用非均相沉淀法制备 Al O SiC 复合粉体 ,在 1 600 ℃～1 750 ℃下热压烧结制备Al O SiC 2 3 2 3 纳米复合陶瓷. SiC 的粒径分别为 70 nm , 600 nm. 为了进行对比 , 采用市售 Al O 粉 , 在 2 3 1 500 ℃热压制备单相 Al O 陶瓷. 样品名及 SiC 含量列于表 1. 2 3 表 1 　实验测定的平均残余应力 试样名 A0 A5 A10 SA5 试样成分a ( 100 %Al O A