CMOS集成电路中GlitchPower的分析方法研究.pdfVIP

维普资讯 第 35卷第 2期 微 电 子 学 VoI．35，NO_2 2005年 4月 Microelectronicr Apr．2005 文章编号：1004—3365(2005)02—0121—04 CMOS集成电路中GlitchPower的分析方法研究 吴 凯，林争辉 (上海交通大学 电子信息与电气工程学院，上海 200030) 摘 要 ： 在集成电路 中器件延迟数学模型的基础上，介绍 了如何利用定时布尔函数和定时有序二 值决策图对集成 电路GlitchPower进行分析；借助 CUDD软件 包，构建 了电路的Timed—OBDD表 达形式，对一些典型的BenchMark进行 了仿真。 关键词 ： CMOS集成电路；功耗估计；GlitchPower；定时布尔函数；定时有序二值决策图 中图分类号： TN432 文献标识码：A A StudyonM ethodologyforGlitchPowerAnalysisin CM OSIC’S W U Kai．LIN Zheng—hui (SchoolofElectronicsandElectricEngineering，ShanghaiJiaotnogUnivresity，Shangha i200030，P．R．China) Abstract： Basedontheunitdelaymodel，theanalysisofglitchpowerinCMOSintegratedcircuitsusingtimed Boolean：[unctionandtimedreducedorderedbniarydecisiondiagram ispresented、W iththehelpofCUDDpackage， thetimed—OBDDrepresentationisbuilt，andtypicalbenchmarksaresmiulated． Keywords： CMOSIC；Powerestimation；Glitchpower；TimedBo oleanfunction；Timedorderedbinarydeci— siondiagram EEACC： 2570D 成 ，如 (1)式所示 。 引 言 P 一P +Pu． +Pd” (1) 第一部分是由于在互补结构中，电源和地之间 在实际电路中，器件延迟是固有的现象。由于延 存在一条瞬时通路而引起的功耗 ，称为短路电流功 迟的存在，电路会产生额外的功耗，这种功耗称为 耗 ；第二部分是由器件 中漏电流引起的功耗 ，称为漏 GlitchPower。在组合电路中，GlitchPower的典型 电流功耗；第三部分是电路节点状态发生变化时对 值可 以占到芯片总功耗的30 ，甚至达70 It]。因 负载电容充放 电所引起的功耗，称为电路的动态功 此，如果要得到准确的估计功耗 ，GlitchPower是应 耗[2]。在动态功耗 P如中，有一部分是由于 电路中器 当考虑在内的。对这部分功耗，人们提出了定时布尔 件的延迟而产生的GlitchPower，它是本文分析的 函数(TimedBooleanFunction，TBF)的概念。本文 重点。 根据 TBF的概念，对 CMOS集成 电路 中Glitch