(Pb,La)TiO3铁电薄膜微结构与制备工艺研究.pdfVIP

吴家刚等：(Pb．La)T-()。铁电薄膜微结构与制备工艺研究 (Pb，La)TiO。铁电薄膜微结构与制备工艺研究+ 吴家刚，朱基亮，朱建国，于光龙，袁小武，肖定全 (四川大学材料科学系，四川成都610064) 摘要： 采用射频磁控溅射技术在室温淀积、其后在 2薄膜的制备 700℃下退火10mm，制备了(Pb，La)TiO，(简记为 2．1陶瓷靶材的制备 PLT)铁电薄膜。利用xRD研究了薄膜的结晶性；利 用xPs研究了薄膜表面的化学成分、组分以及表面原 子的化学价态；利用sEM研究了薄膜的断面。薄膜结 简称PLTl∞的陶瓷靶材是通过传统陶瓷制备技术制 构分析结果表明，在一定的制备工艺条件下，薄膜制备 备的，组分中过量的lo％Pbo是为r补充在混料和烧 时间的长短对薄膜结晶性能的影响不大；xPS波谱分 结过程中的铅损失。分析纯的原料PbO、IAo，、 析表明，所测得的元素有Pb、La、Tl、O和c，其中c元 素是薄膜在制备或测试过程中的污染，薄膜中没有其 行称量配制，配好的粉料球磨72h，然后烘干，在850℃ 它杂质元素；由断面的SEM分析可知，在夯论文采用 预烧2h，再将粉料压制成型，在l000℃的条件烧结 的制备工艺条件下，薄膜与基底之间基本上没有互扩 2h，即可得到PLT陶瓷靶。 散，薄膜与基底的界面比较清楚。 2．2薄膜的制备 关键词： 射频磁控溅射；铁电薄膜；(Pb，La)TiO。； XRI)：XPS：SEM 中图分类号： 0484．1 文献标识码：A 控溅射设备来制备PI。T薄膜，室温淀积、其后在 文章编号：1001—973l(2005)11一170卜03 表l 射频磁控溅射Pf。T薄膜的工艺参数 l 引 言 thin川nls 丁ab】el cDndⅢons。fPLT Spu￡iering by RF 由于其优良的铁电、压电、热释电、电光、声光及非 sputtering 线性光学等特性，铁电薄膜在动态随机存取存储器、薄 项目 PLT薄膜 膜电容器、超声探测器、薄膜压电马达，尤其是在高容 TIlIn 目标 PLT陶瓷目标(0：70D：5mm) 量存储器和非制冷红外探测器方面具有广泛的应 气体 Ar：()2—80：20 气压 2 0I’8 用“”J。因此，一段时间以来，对铁电薄膜材料的研 输八功率 l 2～1．5W／cnl2 究，在国内外都是前言和热门的课题““”。 温度 室温 利用铁电薄膜制作热释电探测器具有以下优点： 沉积速率 lO～15nnl／mln 无须制冷，可在常温下工作；光谱响应无波长选择性； 3分析结果与讨论 灵敏度高，能探测到106℃的温度变化；响应快；集成 3．1 PLT薄膜的XRD分析 度高。Ph—La：Tl，圳()。属ABO。型钙钛矿结构材