(Sn1-x,Co2x)O2纳米粒子的制备及气敏性能研究.pdfVIP

幼一笙——材 料 (Sn。一。，C02z)02纳米粒子的制备及气敏性能研究。 彭同江，孙红娟，刘海峰，樊 亮 (西南科技大学矿物材料与应用研究所，四川绵阳621010) 摘 要： 采用分析纯SnCl．·5H20和NH。·H20制SnO。晶粒的长大，还可提高材料的半导体性能。 为主要原料，控制不同C02+／Sn+摩尔比，利用均匀共因此，本文采用液相沉淀法制备了(Sn，一：，Co。。)02纳 米粒子，研究了其结构、结晶性能、活性、半导体性能及 沉淀法制备了(Snl一；，C02。)02纳米粉体样品，并以白 云母为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。对样品的结 H。敏感性能，揭示了(Sn。一：，Co。，)O。纳米粒子的气敏 构、结晶性能和活性等分析发现，C02+以类质同像的方机理。 式代替了Sn02晶格中的SnI+，并引起了M—O键长、 2 实 验 晶胞参数和M—O八面体电价平衡的非均一性，进而 提高了粉体活性及n型半导体性能。在不同浓度H2 2．1原料与设备 中元件气敏性能测试表明，C02+的引入提高了Sn02实验采用的主要原料有：SnCI．·5H：O(分析纯)、 的H：灵敏度。元件的灵敏度与H。浓度之间具有较 好的线性关系。实验得到了制备(Sn。一。，Co缸)0。气敏 材料的最佳C02+／Sn件摩尔比。 型磁力加热搅拌器、SX-4-10型全纤维快速升温电阻 关键词：Sn0。；气敏；掺杂；均匀共沉淀法 炉、静态气敏测试装置等。 中图分类号：TN304．92 文献标识码：A 2．2 (Snt一。．Co缸)02气敏元件的制备 文章编号：1001-9731(2008)10-1756—052．2．1(Sn。一，，C02；)02纳米粒子的制备 采用液相均匀共沉淀法制备SnO：和(Sn。一。， 1 引 言 C02。)02纳米粒子的过程主要有两个步骤：水解反应 过程和热处理过程。在水解过程中，用酸式滴定管将 SnOz作为一种金属氧化物敏感材料D,z3．具有可 调式导电特性、高热稳定性和化学稳定性，适用于微量 低浓度还原性可燃气体的检测。但在实际应用中，纯 水底液(PVA作分散剂)中}以稀氨水和磁力加热搅拌 Sn02气敏材料的选择性较差、气体灵敏度不高[3]。如 何提高Sn02材料的灵敏度已经成为该方面研究的重产物经洗涤过滤、60℃干燥、650℃热处理2h后得 点之一[‘]。目前，用来提高Sn02灵敏度的途径主要 有纳米化和掺杂两种途径：一方面，巨大的比表面积使 SnO：纳米粒子具有更多的活性中心和气体吸附位 0．03分别配制混合盐溶液，经水解反应和热处理得到 置[5~73 系列掺钴SnOz纳米粒子。 I另一方面，掺杂贵金属或其它金属阳离子可抑 图1(Sn·一，，Co红)02纳米粒子的制备工艺流程 1 FigPreparationprocessof(Snl—l，Cou)02nano-particles 2．2．2气敏元件的制作 图2为实验所用梳状电极与气敏元件结构图。制 的基片进行二次涂银、干燥、烧结；刻蚀电路I将 作步骤为：将云母剥层并剪成8mmX 8ram规格正方 形基片，用10％稀盐酸、蒸馏水和乙醇依次浸泡、清 洗·并在50C下干燥2h；将松节油稀释后的银浆涂于 收到初稿日期：2008·04—07 收到修改稿日期：2008—07—01 通讯作者：彭同江 作者简介：彭同江(1958--)，男．山东青岛人，教授，博士生导师。主要从事晶体化学与纳米材料研究． 万方数据万方数据 彭同江等；(S