1064 nm与532 nm激光对电子束蒸发制备的HfO2SiO2高反膜损伤比较.pdfVIP

第20卷第9期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．20，No．9 2008年9月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Sep．，2008 文章编号： 100l一4322(2008)09一1457—04 1064 nm激光对电子束蒸发制备的 nm与532 Hf02／Si02高反膜损伤比较’ 李大伟h2， 陶春先h2， 李 笑1’2， 赵元安1， 邵建达1 1．中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心，上海Z018001 2．中国科学院研究生院，北京100039) 064 摘要：研究了电子束蒸发制备的Hf()。／Si02高反膜在inm与532nm激光辐照下的损伤行为。 基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑．当能量密度较大时出现分层剥落；二倍频激光损 伤主要是由电子缺陷引起的平底坑，辐照脉冲能量密度稍高时也会产生吸收性缺陷引起的锥形坑。但电子缺陷 的损伤阈值更低；随着辐照脉冲能量密度的增大分层剥落逐渐成为主要的损伤形貌．分析认为．辐照激光波长 的变化．引起吸收机制的变化从而导致了损伤阈值及损伤机制的差异。 关键词：光学薄膜l激光损伤， 电子束蒸发} 电子缺陷 中图分类号：0484 文献标志码：A 光学薄膜是高功率激光系统中的重要元件，同时也是最薄弱的环节之一。光学薄膜的抗激光能力直接影 响到整个激光系统的性能[1≈]。数十年来对光学薄膜的激光损伤进行了较多的研究并取得了长足发展，提出了 众多模型来解释损伤产生机制[3-a]。但是，激光对光学薄膜的损伤是一个复杂的过程，其中涉及到薄膜材料及 其制备手段、激光参数以及作用模式等众多因素，因而破坏过程与损伤机理千差万别阻阳，并且在损伤过程中可 能包含了多个过程或多种机制的耦合，这也给损伤研究带来了很大难度。 为理解辐照激光波长对薄膜损伤的影响，本文设计膜系制备双波长高反膜并进行损伤实验。其中用 薄膜制备手段，因此本文采用了电子束蒸发制备1064和532 伤过程中样品制备工艺、膜料以及不同杂质的影响。 1 损伤实验 1．1样品制备 HL(H2L)151 A，其中H表示四分之一波长光学 采用电子束蒸发制备HIO。／SiOz高反膜，膜系结构为GI 厚度的高折射率材料膜层，L表示四分之一波长光学厚度的低折射率材料膜层，G表示K9玻璃基底，A表示 入射介质(空气)。 1．2实验装置 064 nm(基频)以及532nm(Z．倍 损伤测试装置按照ISO-．11254标准建立。其中Nd：YAG激光器输出1 r1．s和10ns。由二分之一波片以及偏振片组成的能量调节系统可调节辐照样 频)波长的激光，脉宽分别为12 mm， 品的脉冲能量。光束经会聚透镜会聚后辐照样品表面，其中基频激光辐照时使用的会聚透镜焦距为950 二倍频激光辐照时透镜的焦距为400mm。脉冲的空间能量分布呈高斯型，样品表面上的光斑直径(1／d)分别 为700 的测试区域。另外由CCD以及透镜组组成的在线观测系统可对样品进行实时观测以判断损伤是否产生。 1．3损伤检测 为了尽可能完全地反映样品的损伤行为，在样品表面选取一定的区域使用相同能量密度的脉冲对样品表 面进行光栅式扫描。扫描过程中通过在线观测系统观察样品表面的变化并记录损伤位置，完成后更换扫描区 域并提高脉冲能量密度。在脉冲能量密度较小时相邻脉冲之间的间隔取为光斑直径，观察到破斑尺寸超过 -收稿日期：2007—11—02，修订日期：