14nm低原子序数材料多层膜的设计和制备.pdfVIP

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14nm低原子序数材料多层膜的设计和制备.pdf

第19卷第6期 光学精密工程 V01.19No.6 andPrecision 2011年6月 0ptics Engineering Jun.2011 文章编号 1004—924X(2011)06—1192一07 14 nm低原子序数材料多层膜的设计和制备 吴文娟h,张 众2,朱京涛2,王风丽2,陈玲燕2,周洪军3,霍同林3 3.中国科技大学国家同步辐射实验窒,安徽合肥23∞29) 摘要:为了减小常规多层膜的带宽,提高其光谱分辨率,对采用低原子序数材料组成的适用于极紫外和软x射线波段的 多层膜进行了研究。首先,在14nm波长处选取3种低原子序数材料对Si/B4C,Si/c和si/SiC组成多层膜,用随机搜索 的方法优化设计了这3种多层膜以及在此波段常用的Mo/si多层膜。然后,用直流磁控溅射的方法制备si/B4C,Si/C, Si/SiC和Mo/si多层膜,并用x射线衍射仪测量拟合多层膜的周期厚度。最后,用同步辐射测试多层膜的反射率。同 步辐射测试结果显示,Mo/Si多层膜的带宽最大,为o.57nm;si/sic多层膜的带宽最小,为o.18nm,结果与理论基本一 致。实验结果表明,低原子序数材料多层膜的带宽要比常规Mo/si多层膜窄,使用低原子序数材料组成多层膜可以提高 多层膜的光谱分辨率。 关键词:极紫外与软X射线;多层膜;低原子序数材祷;磁控溅射;光谱分辨率 中图分类号:0484.1;0434文献标识码:A doi:10.3788/oPE.z0111906.1192 and on oflow—Zmaterialsat14nm manufacture Design multilayers WU Wen.juann,ZHANGZhon92,ZHU Feng~Ii2, Jing—ta02,WANG CHEN Ling—yan2,ZHOUHong—jun3,HUoTong—lin3 2014l8,(浼主行口; (1.(’oZZegPo,SciP翘cP5,S^口行g矗ni,72s£iz托£PD,T■f^九DZDg了,S^口咒g^Df 2.j扎s£i芒“ze o厂PrPfis主07zo户芒icnZE竹gz咒e已ri7zg,Dep口r£7孢e竹£o,P矗了sifs, 200092,(流i前日;3.N口芒io行口Z 了’0咒gJ£L7hf口P,百i£y,S^口,zg矗ni S了,zf矗,‘ozro携Radi丑zio行 230029,C^i佗口) L口60r以£ory,L7砬i础ersi芒yo,Sci已卯cP口竹d丁■c^,20Zogyo厂C^i以口,HP弘i 63.com *Co,-rPs户。挖di咒g以“£^or,EL,扎口iz:议,M叫。志@1 Abstract:Inordertodecreasethebandwidthofthenormal and the reso— multilayersimpr

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