200K高特征温度的1.3μm AlInGaAs应变单量子阱激光器.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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V01．28 第28卷第12期半导体学报 No．12 CHINESE OFSEMICONDUCTORS 2007年12月 JOURNAL Dec．·2007 Strained WellLaserDiodeswith AllnGaAs Quantum 1．3IJLm Single Characteristicof200K High Temperature Liu Yuxia’，Liu Yi，and Wang Chunling，LuPeng，WangY0ng，Qu Guojun (State PowerSemiconductor and KeyLaboratoryofHigh Laser5，ChangchunUniversityofScience 130022，China) Technology，Changchun characteristic 200Kfroma Abstract；A 1．3肛mAllnGaAs／AllnAssingle—quantum—well high temperature(To)of withthe structureunderCW at20to80℃wasobtained，which laserdiode asymmetricwaveguidelayer operation bestresult inthelaserdiodes(LDs)ofthesameactivematerialsstructureand wave- isthe reported emitting with asan forthefabricationof LDs active long—wavelength length．AllnOaAslayer，therefore，isverypromising isfoundthatthe structurecandecrease excellent asymmetric layer high·temperatureperformance．It waveguide and the and thresholdof opticalabsorptionimprovehigh—temperatureperformancecatastrophico