PMN-PNN-PT单晶的固相法生长研究.pdfVIP

第36卷 增刊l 稀有金属材料与工程 、M．36s坤恤．1 2007年 8月 RAREMFmMATERIALsANDEN0眦ERDJG 2007 Aug∞t PMN．PNN．PT单晶的固相法生长研究 陈克丕1，张孝文2 (1．华北电力大学能源与动力工程学院，电站设备状态监罚与控制教育部重点实验室，北京102206) (2清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与辅细工艺国家重点实验室，北京100084) 摘要：采用两步法和埋入PMN．町单晶为模板的等离子放电烧结(sPs)技术制各出了致密的单一钙钛矿相的 PMN．PNN—PT陶瓷，随后在1200℃下退火100 生长速度明显快于tool方向，而tIll方向生长的晶体形状为v宇形，这是由钙钛矿结构的生长机理决定的．钙钛矿 结构晶体的生长是通过咖0l方向的层状生长来实现的。 关键词：弛豫基压电单晶；周相法生长：锯镁酸钳；睨镍酸铅 中阳法分类号：TB32l 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2007)s1．0439一03 由钙钛矿结构的生长机理决定的，钙钛矿结构晶体的 1 引 言 生长是通过00l方向的层状生长来实现的。 JnNb2) Pb(MglnNb2，3)03一PbTj03(PMNPT)，pb(Zo 2实验 O，．PbTi03(PzN．pT)单晶，因具有非常高的压电常数 如和机电耦合系数岛3而受到广泛的关注”卅。该类单 实验所用的PMN．孙附．PT陶瓷粉末采用两步法 晶的生长目前主要还是依靠高温熔融法口1和坩埚下 合成，所用的原料均为分析纯。首先分别将等摩尔比 降法[6】，近年来还发展了一种新的单晶生长技术，这 种技术主要是利用晶粒的异常长大来制备单晶材料。 并分别在1100℃和1200℃下保温6h以合成 采用srTi03、BaTi03等钙钛矿结构的耔晶作为模板晶 粒，在其上面定向生长弛豫铁电单晶，类似于有籽晶 的坩埚下降法。不同的是新方法是在固态条件下进行 料。配料经混匀后在850℃下保温4h得到PMN— state 生长，所以这种方法一般叫做固态转换法(solid conversi∞，ssc)，由于放入了模板晶体，有的时候球磨、烘干和过74帅的筛后待用。 也叫做籽晶多晶转变法(s∞dedPolycrystaI cm×lOcm，由上海硅酸盐研究所提供)，用研磨膏抛 conversion，sPcp．在韩国，这种方法也叫做固态单 CrystalGra叭h，SsCG)。 晶生长(Solid-statcSjn—e 利用这种方法已经可以制各出具有实用价值的单晶材 mm的石墨模具，然后 料了，而且此方法明显的要比上面提到的高温熔融法 粉末中，将粉末放入直径为20 和坩埚下降法便宜，但在尺寸和质量上还无法和坩埚 下降法相比。 Coal Mjning 本文采用两步法和埋入PMN-PT单晶为模板的等度迅速升到800℃，保温3min，在石墨模具外表面 离子放电烧结(sPs)技术制各出了致密的单一钙钛钻1个小孔，将热电偶插入小孔内测温。烧结过程中 矿相的PMN一讣讯．PT陶瓷，随后