外加磁场对热电薄膜材料电导率的影响.pdfVIP

外加磁场对热电薄膜材料电导率的影响1) * *,2) 贾晓东 ，高原文 * （西部灾害与环境力学教育部重点实验室，兰州大学土木工程与力学学院，兰州 730000 ） 摘要：通过讨论热电薄膜材料电子在维结构中的分布，建立了外加磁场作用下的电导率的理论模型。为了分析 沿膜厚方向的磁电导率，考虑了界面与膜面平行的晶界散射效应。并将晶界散射的条件进一步简化，引入透射 系数的概念来描述电子穿过晶界势垒的概率，探讨了薄膜的电导率与透射系数的之间的关系。 关键词：电导率；热电薄膜；外加磁场；晶界散射 引 言 2 [1] 热电材料是一类将热能转换成电能的功能性材料，其性能的高低通常用系数Z  /  (表 示材料的 Seebeck 系数， 为电导率， 为热导率) 来衡量。随着热电材料微结构组成的纳米化和低维 [2-3] 化，热电材料的性能取得了很大的提高 。而薄膜材料是开发最早的一类低维材料，一些学者从理论和 [4-5] 实验上对对薄膜的电导率进行了研究 。材料在应用中常常处于不同的物理场环境，这些复杂的物理场 将会不同程度的改变材料的性能。对于磁场作用下，热电薄膜电导率的实验研究有许多，而理论研究却 少有报道。 本文基于Boltzmann 输运方程通过讨论热电薄膜材料电子在晶粒内的分布，建立了外加磁场作用下 的电导率的理论模型。为了分析沿膜厚方向的磁电导率，这里只考虑界面与膜面平行的晶粒边界的散射。 假定薄膜由单个晶粒的完整周期单元组成，讨论由晶粒边界散射引起的晶粒尺寸对电导率的影响。将晶 界散射的条件进一步简化，引入透射系数的概念来描述电子穿过晶界势垒的概率，并探讨与薄膜电导率 的关系。 1 计算模型 描述外加磁场作用下的热电薄膜材料的电导率可表示为 J σ (1) E 这里，E 为外加电场，J 为电流密度，可表示为[6] 3 m   J 2 e v f v d v (2)     h   其中，e 为电子电量，m 为电子质量，h 2为普朗克常数，v 为电子速度矢量，f 表示电磁场作用 1) 国家重点基础研究发展计划( 973 计划)项目( 2007CB607506)和国家自然科学基金项目 2) E-mail ：ywgao@lzu.edu.cn 下的电子分布函数。对于薄膜材料，假定由单个规则晶粒的完整周期单元组成，我们通过讨论一个晶粒 内电子的输运情况来分析薄膜材料的整体性质，用x 方向上单个晶粒内的平均电流密度来表示沿薄膜厚 度方向的电流。 令x 轴垂直于薄膜平面，这里只考虑x 方向上的电子分布情