低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制.pdfVIP

1疆●‘ doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2010．05．022 低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制 吴蓉，张娅妮，荆丽 (兰州交通大学电子与信息工程学院，兰州730070) 摘要：利用带隙电压基准的基本原理，结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路，设 计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添 加运算放大器，把带隙基准电路产生的1．2v电压提高到3．5v，提高了芯片性能。用Cadence软 件和CSMC的0．5 ttmCMOS工艺进行了仿真，结果表明，当温度在一20一+120℃，温度系数为 9．3X10-6／℃，直流时的电源抑制比为一82dB。该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使 用要求，并取得了较好的效果。 关键词：基准电压源；自偏置；共源共栅；温度系数；电源抑制比 中图分类号：TN432文献标识码：A 文章编号：1003—353X(2010)05—0503．04 Researchand of Referencewith DevelopmentDesignBandgapVoltage Low and PSRR Temperature-DriftHigh Wu Li Rong，Zhang Yani，Jing (SchoolElectronicand of InformationEngineering，LanzhouJiaotong 730070，China) Umvers妙，Lanzhou Abstract：Anew for is andsimulated．The voltagereference印plicableswitchingpowersupplydesigned referencewithlow and PSRRwas traditional of voltage temperature—drifthigh acquiredusing principlebandgap reference withtheserf-biasedcasecodecurrentmirrorstructureand circuit．Thereference together setup Was fromthetraditionalvalueof1．2Vto3．5V an at voltageimproved byapplyingoperationalamplifier terminal．ThecircuitWassimulatedwithCadencetooland model．Theresultsshow 0．5 CMOS output ttm thatthe coefficientis9．3X10—6／。Coverthe of一20一+120℃andPSRRis temperature te