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电 源技 术 具有高噪声抗扰性能的高边 驱动IC 单块高边驱动器集成电路为系统设计人员带来了极大的挑战。设计人员的目 标是找出最简单的方法来驱动开关器件(确保开关器件的速度，不占用太大的面 积)并且采用低电压控制。而且满足采用3．3V或5V供电的微控制器或其它控制 器来实现控制。 Hwang [{飞兆半导体公司高级工程经理／Jong—Tae 本文介绍了用于高边驱动lc和传统高边驱动器拓朴的 离，需要采用一些隔离层。鉴于二极管的阴极是由N型外 高电压工艺，同时探讨驱动器的相关问题。本文还简要解 延层所制成，故需要P型隔离(Plso)。不幸的是，P型隔 释了新提出的技术如何来解决传统高边驱动器所遇到的普 离层无法保证625V的额定隔离电压。 遍问题，如高压集成电路(HVlc)的关键故障。除了解释如 何处理这些故障问题外，本文也会探讨设计的稳健性问 技术和N型外延层为基础。由于HVl结构的缘故．高边电 题，并给出一些实验结果。 路区域(高压二极管的阴极)和HVI结构之间的PIsO层被完 全耗尽，而且有可能阻止高压电场在PIso层中形成。当然， 高压结端接工艺 实现高压结端接并不容易。这种现象取决于N型埋层的浓 度、在HVI中的位置．以及N型外延层的深度和电阻系数。 在设计中，使高边栅驱动器电路中的每一个器件都能 耐受高达6∞V的电压是很困难的，而且也不具备区域效益 这个设计难题一旦被克服．该项工艺就可提供具备良 (area—effective)。事实上，只需十几伏便可驱动功率好区域效益的LDMOs。示例中的HVI结构可以作为LDMos M0sFET和IGBT。因此，高边驱动器本身并不需要在全高 的漏极，而MOs沟道可以在PIso层中实现。由于LDMos 压范围工作。不过，高边驱动器的偏移(offset)电压仍须 的漏极结构与HVl相同．因此无需额外区域也可引进 低于最大的允许电压值。为了满足这个高偏移电压需求， LDMOs。在传统工艺中LDMOs却需要额外的区域才能引 高边电路被集成到高压二极管的阴极区域。 进，因此，这是现代高边驱动lc工艺的一大飞跃。 如飞兆半导体HDG4625V的额定高压处理器件的高压 二极管由P基板所包围，该基板具有高电阻系数、N型埋层 高边驱动器的构造 和低掺杂N型外延层。这种多层设计的目的是要达到625V 图1所示为传统高边驱动器电路框图。该传统高边驱 的击穿电压的要求。为了使该二极管与其它器件水平隔 万方数据 2005．12／电子与电脑——65 1 电源技术 ■ 一 OWer cp必须采用大电流充电。这个大电流可利用下式来估算： =Cp·dv／dt 个大充电电流在R1和R2上造成了很大的电压降，致使s— R触发器发生误触发。如果找到简单而有效的方法来消除 (4)整形器 这种噪声，那将是避免HVlc故障的最佳解决方案。但是， (5)S—R触发器 要抑制与HVIc结合的噪声是不可能的。因此，提高HVIc