利用Ba0.65Ru0.35TiO3缓冲层制备高热释电系数的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜.pdf

第35卷，增刊 红外与激光工程 2006年10月 、U．35 InfhredaIldLaser oct．2006 SuppleHlent EngiIlcering 利用Bao．65Ruo．35Ti03缓冲层制备高热释电 系数的Bao．65Sro．35Ti03薄膜 刘祚麟，吴传贵，张万里，刘兴钊，李言荣 (电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都610054) 摘要：采用射频溅射，在Bao．65sro．35Ti03(BsT)薄膜和Pt用／si02，si衬底之间制备10 BsR缓冲层可使BsT薄膜呈高度口轴择优取向生长，改善了薄膜的介电常数，降低了薄膜的漏电流密度，使 ccm_2 其热释电系数达到7．45×10。。7 K-1。表明利用BSR缓冲层可以制备高热释电性能的BST薄膜。 关键词：钛酸锶钡薄膜； 热释电系数； 缓冲层； 铁电介电辐射计 中图分类号：TN384 文献标识码：A 文章编号：1007—2276(2006)增E一0183—05 thin6lms Bao．65Sro．35Ti03 Highpyroelectric with buffer Ba0．65Sro．35Ti03 LIU ZuO—lin，WU Wm—h，LIU Chu她一gui，ZHANGXing—zhao，LIYan—rong ofMicr∞I∞咖ics趾d Elecn饥ic 0f Jia地hc (sc蛔I Science孤d钕IlIIolog_yChina’Nonh So壮d—stateⅡec咖ics，Unive陪时of fihnsare RF witha tllin Ab哳act：Bao．65Sro．35Ti03(BST)thindepositedby sputtel缸gVefy of on substmte．XRDindicatematmeBSR af!fbctedtheorientation (BSR)bu伍erPt厂IVSi02／Si pattems seeding—layer BSTmin is a-axis withBSTtmnfilms onPt film，wllich lligIlly textured．Comparing direcⅡydeposited dielectricrelaXationbe dielectricconstant Ineasurementshowstllat can a11d increased．Mo∞0ver'J—V suppressed cun-ent BSTthinfilmsonBSRbu脏rwere reduced．The coemcientofBST leakage dens蛔of g