Ag掺杂制备p型ZnO薄膜研究.pdfVIP

2009 NO.25 科技创新导报 Science and Technology Innovation Herald 农 业 科 学 Ag掺杂制备p型ZnO薄膜的研究 王莉 何俊刚 陈环 刘志宇 傅刚 (广州大学物理电子工程学院 广东广州 510006) 摘 要:通过Ag掺杂和磁控溅射方法生长ZnO:Ag薄膜,分析了氧气氛退火温度后薄膜的微结构和电阻率等电学性能。退火前薄膜的晶 粒大小为15nm,经过600℃氧气氛热处理后,晶粒增大到35nm左右;霍耳测试结果表明,氧气氛后ZnO：Ag薄膜转变为p型电导。薄 膜对可见光的透过率大于83%,有陡峭的截止吸收限,对小于378nm的紫外光有强烈的吸收。 关键词:磁控溅射 ZnO薄膜 热处理 中图分类号:TQ013 文献标识码:Ａ 文章编号:1674-098X(2009)08(c)-0121-01 1引言 特点。说明氧气氛下600℃退火1h,使ZnO薄 4结语 ZnO是一种新型的II-VI族直接宽带隙 膜经过了晶化长大的过程,晶粒随退火温 采用磁控溅射方法在基片上生长ZnO: 化合物半导体材料。室温条件下,其禁带宽 度升高而增大使薄膜致密,有利于提高电 Ag薄膜。SEM观测说明,600℃氧气氛热处 度为3.37eV(对应紫外光的波长),激子束缚 学性能。 理使薄膜的晶粒增大,从未退火的15nm增 能为60meV(有利于实现高效率的激光发 在室温下测量薄膜的电阻率。霍耳测 大到35nm左右,致密度有所提高;ZnO:Ag 射),其薄膜在半导体照明、紫外激光器等 试结果表明,磁控溅射得到的ZnO:Ag薄 薄膜的XRD谱只出现(002)衍射峰,说明磁 技术领域有广阔应用前景。氧化锌材料来 膜,经过600℃氧气氛下退火,电阻率从退 控溅射薄膜呈现C轴取向生长。霍耳测试表 源丰富、价格低廉、无毒、易实现掺杂等优 火前的3.8Ω·cm提高到20.7Ω·cm,而且导 明,氧气氛热处理使薄膜的电阻率从退火 点,ZnO具有诱人的应用前景和巨大的发展 电性从n型电导转变为p型电导。研究表明, 前的3.8Ω·cm提高到20.7Ω·cm,而且导电 潜力。制备ZnO薄膜的技术很多,主要有化 Ag作为IB族元素,可以象IA族元素一样通 性从n型电导转变为p型电导。 学气相沉积、超声喷雾热解、磁控溅射、分 过掺杂替代Zn形成受主。Ag代替锌起受主 子束外延及溶胶凝胶法等。ZnO本征呈n型 作用,而且热处理对薄膜的p型转变有重要 参考文献 [1,2] [1]汇ÖZGüR ü 导电特性,其p型材料制备非常困难 ,性 作用。 能稳定可控的p型ZnO材料是制备结型器件 采用X射线图衍射分析方法分析了 的基础。要实现ZnO的p型转变,理论上可以 ZnO:Ag薄膜,结果只出现(002)衍射峰,说 [3-6] 2005,98(4):1～103. 通过掺杂IA族元素来实现 。Ag作为IB族 明磁控溅射生长的薄膜具有c轴择优取 元素,可以象IA族一样通过掺杂替代Zn形 向。与未退火的薄膜相比,600℃退火1h使 [9] 成受主实现氧化锌的P型转变 。 薄膜的X射线衍射峰的峰高变得高而尖 本文采用磁控溅射方法制备Ag掺杂 锐,薄膜的c轴择优取向和结晶程度得到明 ～4): ZnO薄膜,通过SEM和透射谱的测量,研究氧 显加强。根据谢乐(scherrer)公式