氢化微晶硅薄膜制备过程中的氧污染问题.pdfVIP

增 刊 太 阳 能 学 报 Supplement 2003年4月 ACTAFNFRGIAESOLARISSINICA Apr.,2003 文童编号二0254-0096(2003)增刊一0005-04 氢化微晶硅薄膜制备过程中的氧污染问题 杨恢东，2‘，吴春亚，‘赵 颖，‘麦耀华1，张晓丹1f 薛俊明，‘任慧志，‘耿新华1熊绍珍 ‘ (1南开大学光电所.天津300071;2.五邑大学薄膜与纳米材料研究所，江门529020) 摘 要:采用光发射谱(OLS)测量技术，实时监测了不同本底真空制备条件下氢化微晶硅(lec-Si:H)薄膜沉积的氧污染程 度。样品的X光电了能谱(XPS)与傅立叶变换红外吸收光iff(FLIR)M}l量结果表明:不同氧污染条件下制备所制备pc-Si :H薄膜中.氧以不同的键合模式存在，氧污染程度较低时，氧主要表现为o-0与(1H健合;氧污染严重时，则以S;-O键 合占主导。通过Rv;nun光谱、电导率与激活能的测量进一步发现:),c-SD H薄膜的结构特性与电学特性随沉积过程中氧 污染程度不同发生显著的变化、而且这种变化不同于氧污染对a-S1:H薄膜的影响。 关盆词:氢化微晶硅薄膜;甚高频等离子体增强化学气相沉积;光发射谱;氧污染 中图分类号 TK51 文献标识码,A 品A)和不采用装片室(本底真空4x10一11'a，标识 0 引 言 为样品B)的条件下，利用VHF-PECVD技术沉积了 近年来，为了进一步提高氢化微晶硅(I<c-Si:H) 两组uc-Si:H薄膜样品，并在沉积过程中采用 薄膜的沉积速率，使之在太阳电池、薄膜晶体管以及 PR650光谱光度计对相应的等离子体辉光进行了原 彩色传感器等领域能够得到更加广泛的应用，人们对 位光发射谱(0E5)测量，测量装置如图1所示。两 pc-Si:H薄膜的制备技术进行了较为全面而深人的研 组样品其它的沉积条件完全相同:等离子体激发频 究’「一31。其中，甚高频等离子体化学气相沉积(VHF- 率90MHz，等离子体功率密度 1w/cmz，衬底温度 PECVD)技术在Ix-Si:H薄膜材料的制备研究中尤为 200'C，工作气压60Pa，硅烷浓度495，气体流量 令人关注，并取得了很大的发展[4-71。已有的研究工 75sccmo薄膜中氧的含量及键合方式通过X射线 作表明，绝大多数研究工作都试图通过优化沉积过程 光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外吸收谱 的工艺参数，实现Kc-Si:H薄膜材料的高速沉积。而 (FTIR)加以测量。氧对于f,c-Si:H薄膜材料的结 对于Yc-SiH薄膜制备过程中的氧污染问题，尽管已 构特性及电学特性的影响则通过Raman光谱、电导 有人展开了初步的工作[(8.9丁，仍有待得到进一步的关 率N及激活能测量进行研究。XPS在’I'H15300型 注与更加深人的研究。可以相信，深刻认识氧对1}- 光电子能谱以上进行，测量室的本底真空为I0-7Pa, 3i:H薄膜结构与特性的影响，对于探讨在较低的真 光源采用单色的h刁gKa线，并且在测量前用氨离子 空系统中获得较好质量的,Lc-Si:H薄膜的高速沉积， 对样品表面进行刻蚀，以去除薄膜表面的自然氧化 以降低微晶硅薄膜太阳电池的成本，具有十分重要的 层。FTIR测量在Nicolet560E.S.P型仪器i_完成， 理论与实际意义。本文通过对不同本底真空条件下 扫描范围400一4000crn1，分辨率为0.09cm'Ra tc-Si:H薄膜生长的比较研究，揭示了氧对pc-Si:H薄 m