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InGaAs_GaAs应变量子阱能带结构的计算,ingaas,ingaas探测器,ingaas光电二极管,ingaas相机,ingaas光电探测器,应变量子阱,应变能带的计算,量子阱,量子阱激光器
37 4 Vol． 37 No． 4
第 卷 第 期 北 京 工 业 大 学 学 报
2011 4 JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Apr． 2011
年 月
InGaAs / GaAs 应变量子阱能带结构的计算
1 1，2 1 1
， ， ，
宋晏蓉 华玲玲 张 鹏 张 晓
(1． ， 100124 ;2 ． ， 101601)
北京工业大学应用数理学院 北京 华北科技学院基础部 河北燕郊
: ， ． InGaAs / GaAs
摘 要 为了进一步优化半导体激光器的性能 讨论了影响激光器中许多参数的能带结构 以 应
， 6 × 6 Luttinger-Kohn ，
变量子阱材料为例 利用有限差分法对考虑价带混合效应的 哈密顿量精确求解 得到导带和
． ，
价带的能带结构图 计算结果表明 应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带
， ．
有效质量之间的巨大不对称性 更有利于提高激光器的性能
: ; ;6 × 6 Luttinger-Kohn ;
关键词 应变量子阱 能带结构 哈密顿量 有限差分法
中图分类号:O 4 17 文献标志码:A 文章编号:0254 － 0037 (2011)04 － 0565 － 05
通过改变半导体材料能带结构而改变半导体激光器性能的能带工程是当今半导体光电子器件发展的
． ， 、 、 、 、
热点 量子阱结构出现后 使人们可以通过选择阱宽 阱深 垒厚 垒高 引入应变等自由地对量子阱的能
， ， 、
带结构进行调整 尤其是应变的引入会带来许多新的特征 如材料中能带结构的改变 空穴有效质量的减
［1-2］
、 、 、 ．
小 态密度的改善 透明载流子浓度的降低 微分增益的增大等 这些特性在某种程度上影响了半导体
， ，
激光器的性能 尤其是激光器的增益特性及输出波长 因此对应变量子阱能带结构进行理论分析具有非常
． InGaAs / GaAs ， ，
重要的实际意义
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