MEMS制造技术之体加工工艺.pdfVIP

MEMS 交流网 - 专注于 MEMS 的门户网站 / MEMS制造技术之体加工工艺 ——摘录整理自《微纳米技术及其应用》，有删节 体加工技术主要包括除去加工（干湿法腐蚀、火花放电加工等）、附着加工 （镀膜、化学成膜）、改质加工（参杂、氧化）和结合（键合、粘结等）加工四 种。 腐蚀技术是加工传感器的最基础、最关键的技术，它通常有两种：干法腐蚀 和湿法腐蚀。 干法腐蚀技术包括以物理作用为住的反应离子溅射、以化学反应为主的等离 子体腐蚀，以及兼有物理、化学作用的反应溅射腐蚀。 干法腐蚀包括 各项同性干腐蚀是利用反应性气体与刻蚀对象间的化学反应行进的。而各向 异性干腐蚀则利用离子流定向冲击剥蚀的原理。 硅的湿法腐蚀是先将材料氧化，然后通过化学反应使一种或多种氧化物或络 合物溶解，包括湿法化学腐蚀和湿法电化学腐蚀。根据腐蚀剂的不同，硅的湿法 腐蚀可氛围各向同性腐蚀和各向异性腐蚀。 至于采用干腐蚀还是湿腐蚀，则通常要考虑腐蚀速率、是否会带来样品污染 以及设备拥有情况等因素。 1.湿腐蚀 湿腐蚀是将与腐蚀的硅片置入具有确定化学成分和固定温度的腐蚀液里进 行腐蚀。一般需要对溶液进行超声或机械搅拌。 1.1 硅的各向同性腐蚀 各向同性腐蚀是指硅在各个晶向有想通的腐蚀速率，因而使用与圆形结构的 加工，为了去掉构造下的牺牲层，也常常采用各向同性腐蚀。所用化学试剂很多， 广泛采用的是HF-HNO3腐蚀系统。 1.2 硅的各向异性腐蚀 各向异性腐蚀是指硅的不同晶向具有不同的腐蚀速率，基于这种腐蚀特性， 靠调整器件结构面，使它和快刻蚀的晶面或慢刻蚀的晶面方向相对应，由刻蚀速 率依赖于杂质浓度和外加电位这一特点又可用于控制适时停止刻蚀从而可在硅 衬底上加工出各种各样的微结构 各向同性腐蚀剂一般分为两类：一类是邮寄腐蚀剂，包括EPW（乙二胺、邻 苯二酸和水）和联胺等；另一类是无极腐蚀，包括碱性腐蚀液，如KOH、NaOH、 LiOH、CsOH和NH4OH等。这两类腐蚀剂具有非常类似的腐蚀现象。以下重点介绍 KOH系统和EPW系统。 1.2.1KOH系统 KOH腐蚀系统常用KOH（氢氧化钾）、H O（水）和（CH3） CHOH（异丙醇，缩 2 2 写为IPA）的混合液，除KOH外，类似的腐蚀剂还有NaOH、LiOH、CsOH和NH4OH腐 蚀剂 1.2.2 EPW系统 乙二胺[NH (CH ) NH ]、邻苯二酸[C H (OH) ]和水（H O）,简称EPW（EPW是 2 2 2 2 6 4 2 2 MEMS 交流网 - 专注于 MEMS 的门户网站 / 乙二胺、邻苯二酸和水的英文名词的缩写）。用常规腐蚀液腐蚀硅一般是在EPW 的沸点（115℃）下进行的，为了防止在EPW沸点下因蒸发导致腐蚀液的成分改变， 腐蚀系统一般用制冷回留装置。腐蚀系统用磁搅拌方法控制腐蚀均匀性。由于蒸 发后被冷凝的液体直接返回到容器会使腐蚀液温度改变，所以在冷凝液体流入容 器前应利用蒸发进行预加热。 1.2.3硅腐蚀速率与晶体取向的关系 对于KOH刻蚀液而言，实验中观察到的最大和小刻蚀Si速率分别对应（411） 和（111）晶面，两者时间差2个数量级。 采用乙二胺刻蚀液时，当Miller指数（hkl）hk时，刻蚀出的晶面边缘非 常光滑，实验中所观察到的最大刻蚀速率分别出现在（331）和（110）晶面上。 1.2.4 影响腐蚀速率的其他因素 在任何pH12的强碱溶液中，硅刻蚀具有三个特点，即其刻蚀速率和晶向参 杂浓度及外加电位有关。 1.2.5 微结构集合图形的控制腐蚀 1）、各向异性腐蚀剂腐蚀出微结构的特点 由于｛111｝面有慢的腐蚀率速率，所以经过一段时间腐蚀后，富哦腐蚀出 的孔腔边界就是｛111｝面。腐蚀前，先在硅面覆盖一层掩膜（如SiO 或Si N ）