MEMS制造技术之硅表面微机械加工技术.pdfVIP

MEMS 交流网 - 专注于 MEMS 的门户网站 / MEMS制造技术之硅表面微机械加工 技术 ——摘录整理自《微纳米技术及其应用》，有删节 美国加州大大学Berkeley分校的Sensor and Actuator小组首先完成了三层 多晶硅表面微机械加工工艺，确定了硅表面微加工工艺体系。表面微机械加工是 把MEMS的“机械”（运动或传感）部分制作沉积于硅晶体的表面膜（如多晶硅、 氮化硅等）上，然后使其局部与硅体部分分离，呈现可运动的机构。分离主要靠 牺牲层（sacrifice layer）技术，即在硅衬底上先沉积上一层最后要被腐蚀（牺 牲）掉的膜（如SiO2可用HF腐蚀），再在其上淀积制造运动机构的膜，然后用光 刻技术制造出机构图形和腐蚀下层膜，待一切完成后就可进行牺牲层腐蚀而使为 机构自由释放出来。因为在释放前可以制作有关电子器件部分们这样最后的器件 就是“电”和“机”相集成。 1.制膜工艺 表面微机械加工主要是以不同方法在衬底表面加工不同的金属非金属薄 膜，并根据需要实现在薄膜下面已确定区域中生长牺牲层。这些都需要制膜工艺 来完成 1.1 湿法制模 1）、电镀（LIGA工艺） 利用光制造工艺制作高深宽比（aspect）｝构造的方法称为LIGA工艺，它利 用同步辐射源的 X 射线照射到一种特殊的 PMMA 感光胶上获得高深宽比的铸型， 然后通过电镀或化学镀的方法得到所要的金属结构。 2）、浇铸法、旋涂涂层等 前者是将液态高分子材料或精细陶瓷的原料灌注到模型里获得构造的一种 方法，如 CD 的制造。后者是将液态材料如，聚酰亚胺（polyimide）涂到基板上 然后旋转得到厚度均匀的膜，经过一定处理可得到良好的薄膜，这种工艺是比较 简单的。 3）、阳极氧化 电解液中，硅基板作为正极，高浓度HF溶液接负极。通小电流时，可得到多 孔质的Si•SiO 或多空质Al O 2 2 3 1.2 干式制模 1)、CVD（化学气相堆积） CVD（chemical vapor deposition）法是气相情况下让气体在基板上反应 或分解。其生成物堆积到基板上的一种技术。其种类很多，有高温CVD、常温CVD、 低温CVD、等离子CVD、光CVD、MOCVD等采用CVD所能堆积的膜有多晶硅、单晶硅、 非晶硅等半导体，Si N 、SiO 、PSG等绝缘体，高分子膜、金属钨膜等。 3 4 2 2）、磷硅玻璃的制备 将二氧化硅层在 580~900℃下，通三氯氧化磷处理适当时间，使五氧化二 MEMS 交流网 - 专注于 MEMS 的门户网站 / 磷扩散进入二氧化硅，在二氧化硅层表面生长一层磷硅玻璃。 3）、PVD（物理气相堆积） 真空蒸镀、溅射等无化学反应伴随的制模技术称为 PVD（physical vapor deposition）。 真空蒸镀时，高真空中通过加热钨丝将材料加热使其蒸发，通常用于金属 蒸镀。对高熔点材料可使用电子束加热，与溅射相比它的方向性好。 溅射堆积时，在Ar低真空情况下使用两极间产生等离子体，由粒子轰击靶 （被堆积材料制成），使靶比啊面的材料飞溅到基板上。溅射的特点是对台阶处 有较好的覆盖，并可适用于非金属材料，可获得较厚的膜，但内应力较蒸镀大。 2. 薄膜腐蚀 各种薄膜的制备后，往往需要腐蚀所期望的形状。对牺牲层进行选择性腐 蚀。在 MEMS 工艺过程中，一般要求后续工艺不会给前面所用材料带来损伤，即 要求工艺具有相容性。