- 1、本文档共4页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
NPN和PNP作为开关管的设计技巧,接近开关npn和pnp,接近开关pnp和npn差别,pnpnpn开关电路,接近开关pnpnpn,npn和pnp的接近开关,pnp和npn的区别,npnpnp,npn与pnp的区别,三极管pnp和npn的区别
NPN 和PNP 作为开关管的设计技巧以及全系列三极管参数
2011-03-13 00:34:37| 分类: 模拟电路 | 标签: |字号大中小订阅
1.1 NPN 与PNP 的区别
NPN 和PNP 主要是电流方向和电压正负不同。
NPN 是用B—E 的电流(IB)控制C—E 的电流(IC),E 极电位最低,且正常放大时通常C 极电
位最高,即VCVBVE 。
PNP 是用E—B 的电流(IB)控制E—C 的电流(IC),E 极电位最高,且正常放大时通常C 极电
位最低,即VCVBVE 。
1.2 NPN 和PNP 作为开关的使用
三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub 来控制三极管
的导通与断开。
图1 NPN 与PNP
工
作状态
PNP NPN
截 UebUon UbeUon
放 UebUon UbeUon
大
UbUc UcUb
饱 UebUon UbeUon
和
UbUc UcUb
表2 NPN 和PNP 的工作状态及条件
如上 图1 所示,对于NPN 来说,使UbeUon,三极管断开,UbeUon,三极管导通,其中一
般Ue 接地,则只需控制Ub,使UbUon 即可使之导通。
对于PNP 来说,使UebUon,三极管断开,UebUon,三极管导通,其中一般Uc 接地,所以要
使三极管导通既要控制Ue 又要控制Ub 使UebUon 才行。所以一般是Ue 为某个固定电压值,只通过控
制Ub 来就可以控制三极管的导通与断开。
对比NPN 与PNP 可知:NPN 做开关时,适合放在电路的接地端使用,如图2 里面Q6; PNP 做
开关时,适合放在电路的电源端使用,如图3。
我们一般使用芯片I/O 口来控制LED 灯,I/O 口的逻辑电平一般为高电平3 V 左右,低电平为0.3V
左右。因此可以直接控制NPN 管开关,如 图2 里面的Q6;一般不直接控制PNP 管,如 图3。我们前
控板设计LED 的控制电路采用如下图2 的NPN 三极管对地较为合适,并且双色灯最好是使用共阳双色灯。
以双色灯的控制为例,如下 图2 所示
图2 双色灯的控制
图2 中Q6,Q4 是放在发光二极管的接地端只需要Ub0.7V 即可导通。
图3 电源的控制
图3 中Q35 就放在电源端,E 为固定12V,只需控制B 极来导通三极管。
以下是普遍用法:
NPN 基极高电压,集电极与发射极短路.低电压,集电极与发射极开路.也就是不工作。
PNP 基极高电压.集电极与发射极开路,也就是不工作。如果基极加低电位,集电极与发射极短路。
a.如果输入一个高电平,而输出需要一个低电平时,首选择npn。
b.如果输入一个低电平,而输出需要一个低电平时,首选择pnp。
c.如果输入一个低电平,而输出需要一个高电平时,首选择npn。
d.如果输入一个高电平,而输出需要一个高电平时,首选择pnp。
1.3 三极管使用时钳制电压的问题、
图4 电源的控制
如上 图4 ,在POWER_UP 与三极管b 极之间必须要串个电阻,否则当三极管导通后,
POWER_UP 位置电压会被钳制在0.7V,设计时候应当注意。
您可能关注的文档
- Memory特征化过程遇到的问题及解决方法.pdf
- MEMS传感器的现状.doc
- MEMS制造技术之LIGA技术.pdf
- MEMS制造技术之逐次加工.pdf
- MEMS制造技术之结合加工.pdf
- MEMS制造技术之体加工工艺.pdf
- MEMS制造技术之硅表面微机械加工技术.pdf
- MEMS技术的传感器有那些具体应用.pdf
- MEMS压力传感器的结构与工作原理及应用技术.doc
- meso四(间烷氧基苯基)卟啉及其铜配合物的合成表征和性能研究.pdf
- 2025年河南科技大学第一附属医院招聘笔试备考题库及答案详解1套.docx
- 2025年浙江岱山县事业单位紧缺专业人才招聘3人笔试高频难、易错点备考题库附答案详解.docx
- 2025年浙江纺织服装职业技术学院社区管理人员招聘笔试高频难、易错点备考题库及参考答案详解1套.docx
- 2025年河北雄安新区公安局招聘警务辅助人员160人笔试高频难、易错点备考题库及完整答案详解1套.docx
- 2025年河北工程大学信息与电气工程学院博士招聘笔试高频难、易错点备考题库及参考答案详解1套.docx
- 2025年洛阳古墓博物馆人才引进工作笔试备考题库及答案详解一套.docx
- 2025年江西省药品监督管理局直属事业单位高层次人才招聘(46)笔试高频难、易错点备考题库及答案详解.docx
- 2025年海南州行政执法机构面向社会招聘26人笔试备考题库及答案详解一套.docx
- 2025年浙江省发展和改革委员会关于下属事业单位招聘笔试高频难、易错点备考题库附答案详解.docx
- 2025年河北沧州市中心医院高层次人才选聘150人笔试备考题库及答案详解一套.docx
文档评论(0)