第二章_半导体中的载流子及其输运性质_课后习题答案解析.docVIP

第章 1、对于导带底不在布里渊区中心，且电子等能面为旋转椭球面的各向异性问题，证明每个旋转椭球内所包含的动能小于（E－EC）的状态数Z由式（2-20）给出。 设导带底能量为，附近的电子等能面为旋转椭球面， 与椭球标准方程 相比较，可知其电子等能面的三个半轴a、b、c分别为 于是，K空间能量为E的等能面所包围的体积即可表示为 因为k空间量子态密度是V，所以动能小于E－EC的状态数（球体内状态数）就是 利用式（2-26）证明当价带顶由轻、重空穴带简并而成时，其态密度由式（2-25）给出。 当价带顶由轻、重空穴带简并而成时有效质量和mp。价带顶附近状态密度应为这两个能带的状态密度之和 价带顶附近状态密度 + 只不过要将其中的有效质量mp*为带入上面式子可得： 完成本章从式（2-42）到（2-43）的推演，证明非简并半导体的空穴密度由式（2-43）决定。 带入玻尔兹曼分布函数和状态密度函数可得 令则 将积分下限的E'V（价带底）改为-∞，计算可得 令 则得 当E－EF=1.5kT、4kT、10kT时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据这些能级的率，并分析计算结果说明了什么问题。 ；玻耳兹曼分布函数 当E－EF，； 当E－EF，； 当E－EF，； 计算结果表明，两种统计方法在E－EF＜2kT时误差较大E－EFkT的倍数越大，两种统计方法对非简并半导体证明其热平衡电子和空穴密度也可用本征载流子密度ni和本征费米能级Ei表示为 ； 导带中电子密度为 本证载流子浓度为 结合以上两个公式可得： 因为价带中密度为 本证载流子浓度为 同理可得： 已知6H-SiC中氮和铝的电离能分别为0.1eV和0.2eV，求下电离度90%的掺杂浓度上限。 6H-SiC的Nc=8.9×1019cm-3，Nv=2.5×1019cm-3。 当在6H-SiC中氮6H-SiC中计算施主浓度分别为101cm-3、101cm-3、101cm-3的硅在室温下的费米能级假定杂质全部电离。核对假是否每一种情况都成立。时，取施主能级导带底下0.05eV处。 假定杂质全部电离，则可将费米能级相对于导带底的位置表示为 将室温下Si的导带底有效态密度ND代ND=1014 cm-3时： ND=1016 cm-3时： ND=1018 cm-3时： 为验证杂质全部电离的假定是否都成立，须利用以上求得的费米能级位置求出各种掺杂浓度下的杂质电离度 为此先求出各种掺杂浓度下费米能级相对于杂质能级的位置 于是知 ND=1014 cm-3时： ND=1016 cm-3时： ND=1018 cm-3时： 相应的电离度即为 ND=1016 cm-3时：0.99995 ND=1016 cm-3时： ND=1018 cm-3时： 验证结果表明，室温下ND=101 cm-3时的电离度达到99.5%，ND=1016 cm-3时的电离度达到99.5%，这两种情况都可以近似认为杂质全电离ND=1019 cm-3的电离度只有67%这种情况下的电离度都很小，不能视为全电离。 已知磷在Si中的电离能(NC=2.8(1019 cm-3 磷在Ge中的电离能(NC=1.1(1019 cm-3 对只含一种施主杂质的n型半导体，按参考书中式（3112）带入该式，得 对Si: 对Ge: 利用上题结果，计算室温下掺磷的硅锗电子 对于硅：， 对于锗：， 求轻掺杂Si中电子104V/cm电场平均自由时间和平均自由程。 104V/cm时，平均漂移速度为8.5×106cm/s 根据迁移率公式可知 根据电导迁移率公式，其中， 代入数据可以求得平均自由时间为： 进一步可以求得平均自由程为 11、室温下，硅中载流子的迁移率随掺杂浓度N（ND或NA）变化的规律可用下列经验公式来表示 式中的4个拟合参数对电子和空穴作为多数载流子或少数载流子的取值不同，如下表所示： 作为多数载流子时的数据 作为少数载流子时的数据 (0 (cm2/V(s) (1 (cm2/V(s) N( (cm-3) ( (0 (cm2/V(s) (1 (cm2/V(s) N( (cm-3) ( 电子 65 1265 8.5×1016 0.72 232 1180 8×1016 0.9 空穴 48 447 1.3×1016 0.76 130 370 8×1017 1.25 本教程图2-13中硅的两条曲线即是用此表中的多数载流子数据按此式绘制出来的。试用Origin函数图形软件 结果说明多子更容易受到散射影响，少子迁移率要大于多子迁移率。另外电子迁移率要比空穴迁移率大。 现有施主浓度为5×1015cm-3Si，R=10kΩ的p型电阻器，T=300K、外加5V电压时电流密度J=50A/cm2外加5V电压时电流密度J=50A/cm2