添加Sb的Ga2Te3合金热电性能.pdfVIP

第40卷 第5期 稀有金属材料与工程 Vbl．40．No．5 2011年 RAREM【ETALMATERIALSANDENGINEERING 20ll 5月 May 添加Sb的Ga2Te3合金热电性能 付 红1，应鹏展1，崔教林2，颜艳明1，一，张晓军1，2 (1．中国矿业大学，江苏徐州221116) (2．宁波工程学院，浙江宁波315016) 摘要：本研究采用等摩尔分数的Sb元素替换Ga2Te，中的Ga元素，并利用放电等离子烧结技术制备Ga。9Sbo。Te3合 金，研究其微观结构和热电性能。结果表明，添加Sb元素后，材料的Seebeck系数为130—240uV瓜，明显低于单晶 Ga2Te3，电导率为3600一1740Q一·m一，至少是单晶Ga2Te3的17倍，热导率提高近25％。在649K时Gal．9SbolTe3合金 zr值的3倍。 的热电优值(z乃达到最大值0．1，是同温度下单晶Ga2Te3 关键词：Gal9Sbo．1Te3：微结构；热电性能 中图法分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2011)05．0849．04 热电材料由于在发电和制冷方面的潜在应用已经 K时合金的最大Z丁值 越来越受到关注。热电材料的效率可以由无量纲优值 内部也出现了多相组织，在375 Zr表示，其中腥绝对温度，z兰口2仃／K(口是Seebeck达到0．3 1，比三元合金AgSbTe2提高约0．1pJ。 系数，盯是电导率，r是热导率)。Z雅越大，材料 本研究拟以等摩尔分数的Sb来替代Ga2Te3中的 的热电性能越好。 Ga元素，由于两者的原子半径不同，形成合金时，无 Ga2Te3是Aul2BⅥ3系列四面体型半导体化合物， 论是间隙还是置换固溶，溶质Sb原子都会在Ga2Te3 具有带缺陷的闪锌矿结构。Ga：Te3的化学分子式可以亚晶格点阵中引入点缺陷，从而增大声子散射，以降 低晶格热导率[10】。同时，由于Sb的外层电子数比Ga 写成Ga2VAlTe3，其中VA代表空位…。由于阳离子 和阴离子之间的离子价不匹配，有三分之一的阳离子 多2个，等量替换后，可以优化合金内部的载流子浓 位置空缺【2】，结构上的空位往往随机分布在阳离子亚 度，提高Ga2Te，的电导率，最终改善其热电性能。 晶格内【3】，掺杂原子很容易占位在Ga位置，从而产生 1 实 验 晶格畸变，并具有萌生非晶组织的潜在性。另外，与 根据化合物的分子式Gal．9SboITe3，称量Ga、Sb、 Ga2Se3类似【4’5】，Ga2Te3内部还具有超晶格结构，两维 自组装周期性空穴面包围着闪锌矿型纳米畴，在(111) Te3种元素(要求其纯度达到99．999％以上)，封于真空石 h nm，大 英管中，在1323K温度下熔炼24h，熔炼过程中每隔1 晶面上Ga2Te3的周期性空穴面其面间隔为3．5 约是10倍的原子间距【l】。这种周期性的空穴面间距略 摇动真空管30s，以确保混合物能够均匀反应。熔炼后 大于声子的平均自由程，可对声子产生极大的散射。