激光熔注法制备WCpTi-6Al-4V梯度复合材料层.pdfVIP

第37卷 第10期 稀有金属材料与工程 V01．37，No．10 2008正 10月 RAREMETALMATERIAI，SANDENGINEERING October2008 激光熔注法制备 梯度复合材料层 WCp／Ti-6AI-4V 刘德健，李福泉，陈彦宾，李俐群 (哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室，黑龙江哈尔滨150001) 摘 要：以单晶WC陶瓷粉末(wc 料层的微观组织结构进行了分析。结果表明，WC颗粒在复合材料层中分布比较均匀，而且在深度方向上梯度分布。复 合材料层中形成了新相TiC和WzC。TiC的数量和尺寸在复合材料层不同区域存在较大差异。在复合材料层上部，TiC 的数量较多而且尺寸较大；在复合材料层下部，TiC的数量和尺寸均明显减少。WC／Ti界面反应层由W2C和TiC两层 组成，WC颗粒注入位置对反应层尺寸有很大影响，WC颗粒从熔池后部“拖尾”注入可以有效减小反应层尺寸。 关键词：激光熔注；梯度复合材料；单晶WC粉末；反应层 中图法分类号：TG174．45 文献标识码：A ’文章编号：1002—185X(2008)10．1790．05 晶断裂，使复合材料层的强度明显降低。另外，由于 1 引言 WC颗粒在复合材料层分布不够理想，复合材料层存 Ti一6A1．4V具有比强度高、耐腐蚀等优点，广泛应在较大的残余应力，这～残余应力虽然没有导致复合 用于航天、航空领域。但是，较差的耐磨性能使其在 材料层开裂，但使其强度明显降低。针对上述问题， 很多领域的应用受到限制【1】。若能在Ti一6AI．4V表面制本实验以高强度的单晶WC陶瓷粉末作为增强颗粒， 备一层复合材料，将复合材料硬度高、耐磨性好等优 采用激光熔注技术在Ti．6AI．4V表面制备梯度复合材 料层。在分析复合材料层宏观特征以及形成机制的基 点[2】与Ti．6AI一4V良好的塑韧性结合起来，充分发挥各 自的优点，这将具有一定的理论意义和广阔的应用前 础上，对复合材料层的微观组织结构进行分析。 景。 2 实验方法 目前，在Ti．6AI．4V表面制备复合材料的方法有很 多，如激光熔覆、热喷涂、堆焊等。其中激光熔注(Laser 激光熔注实验采用单晶WC陶瓷粉末作为注入材 Melt 料，平均尺寸为100岬，近似球形，实验前经过乙醇 Injection)技术由于能够有效解决复合材料层的开 mmx33 裂以及增强颗粒的烧损问题而被认为是一种理想的方 清洗并烘干。基体材料为Ti一6A1．4V，尺寸为5 mmx67mm。 法，逐渐被人们认可【3“】。Kloosterman等【7】采用激光熔 注技术制备了SiC／Ti一6A1．4V复合材料层。他们发现SiC激光熔注实验系统由以下部分组成： 在高温时与Ti反应剧烈，形成大量的金属间化合物和 DL—HL—T5000型5 kW横流C02激光器，四轴数控工作 较厚的反应层，使复合材料层脆性增加。同时由于 台和PEL．1A型送粉器。激光熔注过程示意图如图1所 Ti．6AI．4V和SiC之间较大的线膨胀系数差异，复合材示。WC粉末由熔池后部“拖尾”注入，注入方向与 料层的开裂倾向较大。为了寻找适合Ti．6AI．4V的增强激光扫描方向相同。实验采用